Труды КНЦ. Технические науки. – 2026. - № 2

• при Y >> 0,3% резонансный эффект теряет выраженность и «размазывается», снижая физическую интерпретируемость модели. 3. Устойчивость к нелинейным эффектам. При больших значениях коэффициента усиления Č, > 5 возможно проявление нелинейных эффектов, таких как насыщение отклика или запаздывающая релаксация. Это требует дополнительной модификации модели при описании экстремальных режимов возбуждения. 4. Численная реализуемость. В отличие от выражений с потенциальной сингулярностью, например 1 VЧ0 4BH J используемая регуляризованная функция устойчива при численном интегрировании по реальной траектории ионов. Это обеспечивает корректную оценку энергетического вклада без возникновения разрывов и некорректных величин. 5. Физическая интерпретация. Величина резонансного множителя 1 + š — V Ч0 _ ивн у в регуляризованной форме служит безразмерной поправкой, усиливающей эффективную скорость ионов в момент передачи энергии от возбуждающего поля. Это отражает наблюдаемый эффект роста плотности энергетических флуктуаций при возбуждении вблизи резонансных мод колебаний кристаллической решетки. Это выражение представляет собой ключевую формулу предлагаемой модели и отражает совокупное влияние следующих факторов: 1) геометрии анодно-катодной и ограничивающей рабочий объем плазмогенератора систем, включая неравномерность межэлектродного промежутка и сложность формы обрабатываемой заготовки, которая напрямую влияет на форму и длину траектории r ( s ) , а следовательно, и на интегральную работу поля; 2) состава многокомпонентной плазменной среды, где каждый ионный компонент k вносит свой вклад в общую кинетику за счет различий в массе mk, заряде qk и концентрации nk, что критично для прецизионного управления энергией ионного потока; для количественной оценки вклада различных ионов в результирующую среднюю скорость Vo в таблице представлены их параметры и рассчитанные относительные характеристики; 3) электромагнитной конфигурации установки, задающей профиль напряженности поля Ё ( г } и определяющей характер распределения энергии в различных зонах плазмы, особенно вблизи катода, где реализуется основной градиент потенциала; 4) резонансных процессов передачи энергии на поверхности заготовки, которые учитываются \ через введение множителя 1+ £- V Чвн J отражающего частотное усиление при совпадении спектра возбуждения с модами колебаний кристаллитов, что позволяет объяснить наблюдаемое в экспериментах превышение глубины ионной модификации по сравнению с предсказаниями классических моделей. Данный подход особенно эффективен при следующих технологических условиях: • давление — 1-15 Па; • напряжение — 500-3500 В; • частота возбуждающего воздействия — от сотен килогерц до нескольких мегагерц; • материалы с выраженными фононными спектрами — Ti, Zr, Cr, AI 2 O 3 и др. Ограничения модели включают пренебрежение магнитным дрейфом в периферийных областях ионов, отсутствие учета ионных столкновений на сверхмалых расстояниях (менее 1 нм), а также условную однородность параметров плазмы на масштабах поверхности заготовки.