Вестник Кольского научного центра РАН. 2017, №2.

М. Н. Палатников, О. В. Макарова, Д. В. Иваненко Рис. 3. Температурные зависимости удельной проводимости (а) и диэлектрической проницаемости (б) исходно полидоменных кристаллов LiNbO 3 :ZnG, измеренные на фиксированных частотах, z-ориентация: 1 — 100 Гц; 2— 1кГц; 3 — 10 кГц; 4 — 100 кГц Кроме того, для исходно полидоменных образцов кристаллов LiNbO 3 :ZnO построены температурные зависимости действительной части диэлектрической проницаемости s'(T), измеренные на фиксированных частотах (рис. 3, б ). Хотя в номинально чистых кристаллах LiNbO 3 при температуре меньше 1350 К не наблюдается фазовых переходов и не проявляется существенных аномальных особенностей в температурном поведении [4, 5], в исследованных образцах при температуре Т ~ 800 ± 10 К зафиксировано значительное скачкообразное увеличение проводимости и * диэлектрической проницаемости. В широком диапазоне температур как ниже, так и выше Т , зависимость ст(Т) следует закону Аррениуса с одним и тем же значением энтальпии активации проводимости Еа « 1,25 eV, характерным для ионной проводимости по Li+в структуре LiNbO3. Исследована дисперсия комплексного импеданса кристаллов LiNbO 3 :Z n (рис. 4), позволяющая выделить вклад объемной проводимости в результаты измерений, получить температурные зависимости статической удельной проводимости o SV( I ) и времени релаксации объемной проводимости образцов t v(I) (рис. 5), уточнить энтальпию активации проводимости Н а и рассчитать значения транспортной энтальпии Нm [7]. Рис. 4. Диаграммы импеданса исходно полидоменного кристалла LiNbO3:ZnO при Т <Т и Т>Т , z-ориентация. Частоты измерительного поля указаны в герцах 90 http://www.kolasc.net.ru/russian/news/vestnik1.html

RkJQdWJsaXNoZXIy MTUzNzYz