Вестник Кольского научного центра РАН. 2017, №2.

В. В. Ефремов, М. Н. Палатников, С. М. Маслобоева, В. А. Сандлер Іп(стТ), О м Ѵ к - f -| - 2 - 3 - 4 - 5 - 6 - 7 - 8 - 9 - 1 0 - 1 1 - 1 2 - 13 -|------- 1 -------- 1 ------- 1 -------- 1 -------- 1 -------- 1 -------- 1 ------- 1 -------- 1 -------- 1 -------- 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 T, 10~3 K '1 Рис. 3. Температурная зависимость статической удельной проводимости керамического LiNbO3 На рис. 4 представлена температурная зависимость реальной части диэлектрической проницаемости. Из графика видно, что дисперсия диэлектрической проницаемости практически во всем исследованном диапазоне не значительна в сравнении с другими сегнетоэлектриками [11-13]. И лишь после температуры 700 К начинается рост дисперсии диэлектрической проницаемости. На исследованных диаграммах комплексного импеданса монокристалла LiNbO3 НЧ имеем также один хорошо разрешенный релаксационный процесс Дебаевского типа, так что этот рисунок имеет вид, характерный и для других температур. На рис. 5 представлена диаграмма комплексного импеданса, полученная при температуре 798 К, для НЧ монокристалла LiNbO3. Установлено, что величина удельной статической проводимости монокристаллического образца asv равна 5,66^107 См-м-1. Сравнивая значения удельной статической проводимости керамического и монокристаллического образца видно, что величина удельной статической проводимости для керамического образца существенно выше. 44 http://www.kolasc.net.ru/russian/news/vestnik1.html