Вестник Кольского научного центра РАН №2, 2021 г.

Таблица 2. Значения параметров полос в ИК-спектре поглощения (v, S - см-1, I - отн. ед), некоторых линий в спектре КРС (v, S - см-1), концентрации ОН-групп (С(ОН-)/см-3), значение стехиометрии (R=[Li]/[Nb]) и концентрация структурных дефектов (NbLi и VLi - мол.%) кристаллов LiNbOs^, LiNbO 3 r, LiNbOsiB (0.55, 0.69 и 0.83 мол.% В 2 О 3 в шихте) Кристалл Параметры линий С(ОН-)/ см -3 [ R NbLi VLi Параметры линий Спектры КРС v I S v S LiNbOs стех 3465 0.14 4.28 578 16 1 . 6 - 1 0 17 1 0 0 3480 0 .11 5.37 630 20 3488 0.07 8.18 876 20 LiNbOs конг 3470 0 .12 16.4 578 15 3.3-10 17 0.942 0.976 3.904 3483 0.49 24.8 629 25 3486 0.33 27.1 876 30 LiNbOsiB (0.55 мол. % В 2 Оз в шихте) 3466 0.144 12.5 575 32 6.4^1 0 17 0.967 0.553 2 .2 1 2 3480 0.077 17.7 626 41 3485 0.333 27.7 875 25 LiNbOsiB (0.69 мол. % В 2 Оз в шихте) 3466 0 .10 0 16.2 576 33 3.4^10 17 0.977 0.385 1.540 3481 0.130 20.1 628 42 3485 0.104 2 2 .6 877 25 LiNbOsiB (0.83 мол. %В 2 Оз в шихте) 3467 0.142 12.5 576 33 6.3-10 17 0.970 0.503 2 .0 10 3480 0.119 19.9 626 46 3485 0.288 27.2 875 26 лентным колебаниям гидроксильных групп, более узкие, чем в спектре кристаллов LiNbOs и LiNbOsiB. конг Этот факт свидетельствует о более высокой упорядоченности подрешетки атомов водоро­ да в кристалле LiNbOs^ на фоне исследован­ ных кристаллов (табл. 2). Однако расщепление одной полосы поглощения на три компонен­ ты в исследованном нами кристалле LiNbO- свидетельствует о большем беспорядке в протонной подрешетке данного кристалла по сравнению с кристаллом, исследованным в работе [Lengyel et al., 2015]. В кристаллах LiNbOs и LiNbOsiB, как и в LiNbOs , проявля- конг ' стех' г ются три компоненты с одинаковой поляриза­ цией =3470, =3483 и =3486 см-1, что свидетель­ ствует о схожем характере водородных связей в кристаллах LiNbOs и LiNbOsiB (табл. 2). конг Влитературе расщепление на три компонен­ ты связывают с валентными колебаниями ОН- групп вблизи комплексных дефектов NbLi-VLi [Kong et al, 1999, 2004], при этом ширины всех линий в спектре кристаллов LiNbOsiB меньше соответствующей ширины линий в спектре кристалла LiNbOs , за исключением полосы конг поглощения с частотой 3485 см -1 в спектре кристаллов LiNbOsiB (0.55 и 0.83 мол. % B 2 Os в шихте), что свидетельствует о наиболее вы­ соком упорядочении гидроксильных групп в кристаллах LiNbOsiB по сравнению с кристал­ лом LiNbOs (табл. 2). конг Расчет концентрации гидроксильных групп в исследованных кристаллах по ИК-спектрам поглощения выполнен по методу Клавира [Klauer et al., 1992]. Согласно полученным дан­ ным, концентрация ОН-групп минимальна для LiNbOs^ и максимальна для кристал­ лов LiNbOsiB (0.55 и 0.83 мол.% В 2 Оз в шихте), при этом концентрация ОН-групп в кристаллах LiNbOs и LiNbOsiB (0.69 мол % B 2 Os в шихте) конг 24