Вестник Кольского научного центра РАН №2, 2021 г.
Li 2 O, при 1187 °С - 6 мол.% Li 2 O [Сидоров и др., 2003]. Данная отличительная особенность позволяет варьировать состав кристаллов, их дефектную структуру (вторичную структу ру) и, как следствие, выращивать кристаллы с различными характеристиками [Сидоров и др., 2003]. Однако выращивание кристалла стехиометрического состава вызывает труд ности, поскольку максимумы на кривых со- лидуса и ликвидуса сильно сглажены. По этой причине точное определение дистектической точки(пересечение линий солидуса и ликвиду са) становится невозможным, а из-за ее «раз мытого» положения на фазовой диаграмме происходит частичная диссоциация соедине ния. Таким образом, выращивание кристаллов стехиометрического и близкого к нему соста ва методом Чохральского можно осуществить тремя способами: из расплава, содержащего избыток щелочного компонента (58.6 мол.% Li 2 O); из расплава конгруэнтного состава с ис пользованием 6.0 мол.% флюса K 2 O (метод High Temperature Top Seeded Solution Growth - HTTSSG) [Lengyel et al., 2015]; из расплава кон груэнтного состава с добавлением до 2 мол.% флюса B 2 O 3 [Сидоров и др., 2021; Титов и др., 2021]. Преимуществом кристаллов L iNbO^^ яв ляется меньшая величина коэрцитивного поля (~2.5 кВ/см) по сравнению с кристал лами L iNbO ^^ (-23.0 кВ/см) [Сидоров и др., 2021]. Однако кристаллы LiNbOзстех, выращен ные с использованием 58.6 мол.% U 2 O, харак теризуются высокой неоднородностью соста ва вдоль оси роста кристалла из-за сильной разницы в концентрации щелочного компо нента на границе кристалл-расплав. Суще ственная композиционная неоднородность выращенного таким методом кристалла огра ничивает его использование в качестве функ ционального нелинейно-оптического матери ала электронной техники. Кроме того, данным способом невозможно вырастить крупнога баритные монокристаллы из-за необходимо сти использования только незначительного объема расплава. Важно отметить, что выра щивание крупногабаритных кристаллов нио- бата лития конгруэнтного состава (LiNbO3 , ~ J V конг R=0.946) хорошо отработано с годами и в от личие от выращивания кристаллов LiNbO3 стех не вызывает технологических трудностей. Кристаллы, по составу близкие к стехио- метрическим, обладающие высокой структур ной и оптической однородностью, можно вы растить методом HTTSSG с использованием 6.0 мол.% флюса K 2 O [Lengyel et. all, 2015]. Основ ной недостаток данного метода заключается в высоком содержании составляющей флюса в кристаллах оптического качества (-0.01 0.02 мас.%). Действительно, сравнение ионных радиусов калия, лития и ниобия (1.38, 0.76 и 0.64 А соответственно) объясняет невозмож ность внедрения составляющей флюса в кис лородно-октаэдрическую структуру кристал ла. Катионы калия в кристаллах, выращенных с применением метода HTTSSG, механически захватываются в процессе роста и локализу ется на технологических дефектах кристалла, что может накладывать ограничения на прак тическое применение данных кристаллов. В свою очередь, кристаллы LiNbO3:B, выра щенные с применением флюса B2O3, облада ют повышенным, по сравнению с кристаллом LiNbOзконг, упорядочением структурных единиц катионной подрешетки и отличаются более высокой оптической однородностью и более низким эффектом фоторефракции по срав нению с кристаллом LiNbOзстех [Сидоров и др., 2016, 2018, 2020, 2021; Титов и др., 2021]. Такое влияние флюса на характеристики кристал лов LiNbO3:B объясняется высокой комплек сообразующей способностью бора в распла ве конгруэнтного состава: борпроизводные связывают избыточный в расплаве ниобий, что приводит к выравниванию коэффициентов распределения лития и ниобия (KLi и KNb) [Сидо ров и др., 2018, 2021; Титов и др., 2021]. Данная отличительная особенность влияния флюса B 2 O 3 на расплав конгруэнтного состава явля ется одной из причин приближения кристал лов LiNbO3:B по составу к стехиометрическим [Сидоров и др., 2020, 2021; Титов и др., 2021]. Влияние, оказываемое бором на систему кристалл-расплав, подробно изложено в рабо тах [Сидоров и др., 2020, 2021; Титов и др., 2021]. Однако о влиянии бора в качестве активного 20
Made with FlippingBook
RkJQdWJsaXNoZXIy MTUzNzYz