Вестник Кольского научного центра РАН № 3, 2023 г.

сталл LiNbO3:B(0.547 мол. % B2O3 в шихте), табл. 1 [Palatnikov et al., 2023]. При этом для обоих вариантов легирования заселенность атомов лития в литиевых октаэдрах выше, чем засе­ ленность атомов ниобия в ниобиевых октаэ­ драх. Важно отметить, что вне зависимости от способа легирования в кристаллах LiNbO3:B имеются точечные структурные дефекты: NbLi и NbV[Palatnikov et al., 2023]. Наличие подобных дефектов приводит к изменению идеального порядка чередования основных катионов (Li, Nb) и вакансий вдоль полярной оси кристалла, что, тем самым, приводит к дополнительному увеличению дефектности катионной подре- шетки. З а к л ю ч е н и е В настоящее время исследования, направ­ ленные на получение оптически и компози­ ционно однородных монокристаллов, обла­ дающих высокой степенью упорядочения структурных единиц катионной подрешетки, ввиду высокой практической значимости та­ ких кристаллов, стремительно развиваются. Результат многолетней работы коллектива лаборатории материалов электронной тех­ ники ИХТРЭМС КНЦ РАН в абсолютно новом направлении - синтезе и изучении близких по составу к стехиометрическим боросодержа­ щих кристаллов ниобата лития нашел свою реализацию в монографии: «Монокристал­ лы ниобата и танталата лития разного соста­ ва и генезиса» [Сидоров, Палатников и др., 2022]. В монографии обобщены результаты комплексных исследований в области техно­ логий монокристаллов ниобата и танталата лития, посвященные анализу влияния раз­ личных структурных и технологических фак­ торов на практически значимые физические характеристики монокристаллов. Значитель­ ное внимание в работе [Сидоров, Палатников и др., 2022] было уделено модифицированию и улучшению свойств монокристаллов путем использования неметаллических легирующих компонентов (B2O3, H3BO3). Практической значимостью любого иссле­ дования, направленного на получение либо усовершенствование материалов с заданными характеристиками, является получение про­ дукта, удовлетворяющего заданным научным сообществом потребностям. Получению тако­ го функционального материала предшествует многолетняя, кропотливая и слаженная рабо­ та коллектива исследователей, объединен­ ных одной целью. При этом большое значение имеет отработка воспроизводимой техноло­ гии получения таких материалов с заданными свойствами. В связи с этим, сотрудниками ла­ боратории материалов электронной техники ИХТРЭМС КНЦ РАН был получен патент на изо­ бретение: «Способ получения борсодержащего монокристалла ниобата лития» [Способ полу­ чения борсодержащего монокристалла ниоба­ та лития, 2022]. Патент защищает технологию получения боросодержащих монокристаллов ниобата лития, по составу близких к стехиоме- трическим, обладающих высокой оптической и композиционной однородностью. Выполненные коллективом лаборатории материалов электронной техники ИХТРЭМС КНЦ РАН исследования монокристаллов ни- обата лития разного генезиса, содержащих следовые количества катионов бора, позво­ ляют расширить понятие «легирование». Ис­ пользование боросодержащих легирующих компонентов (H3BO3, B2O3) заключается в по­ следовательном воздействии на боросодер­ жащий расплав ниобата лития конгруэнтного состава, систему «кристалл-расплав», а, следо­ вательно - на тонкие особенности структуры и оптические свойства кристаллов LiNbO3:B. Катионы бора уменьшают концентрацию сле­ довых количеств регламентируемых катионов металлов, переходящих в структуру кристал­ ла, и выравнивают коэффициенты распреде­ ления лития и ниобия, тем самым повышая величину стехиометрии кристалла, растуще­ го из исходного боросодержащего расплава конгруэнтного состава. Присутствие катионов бора в гранях вакантных тетраэдрических пу­ стот кристаллов LiNbO3:B обеспечивает сни­ жение концентрации точечных структурных дефектов NbLi и VLi, что сказывается на повы­ шении стойкости кристаллов к повреждению лазерным излучением. При этом в кристаллах LiNbO3:B в процессе роста формируется опре­ 37 Р. А. Титов, М. В. Смирнов, А. В. Кадетова, О. В. Токко, Н. А. Теплякова, Н. В. Сидоров, М. Н. Палатников rio.ksc.ru/zhurnaly/vestnik