Вестник Кольского научного центра РАН № 3, 2023 г.

Рисунок 6. Спектры фотолюминесценции номинально чистых кристаллов LiNbO3 (1), LiNbO3 (2), 3стех^ 3конг'' LiNbO3стех(6.0 мас. % K2O)(3) и LiNbO3:B(0.55(4) и 0.83(5) мол. % B2O3 в шихте). Ширина щели моно­ хроматора 1 мм [Сидоров, Смир­ нов и др., 2022] сталла не изменяет своей правильной кон­ центрической формы и характеризуется лишь рассеянием лазерного излучения на стати­ ческих структурных дефектах. Это свиде­ тельствует о высокой степени подавления фоторефрактивного эффекта в кристалле L iN b O ^ O ^ мол. % B2O3 в шихте), полученным по технологии прямого твердофазного легиро­ вания борной кислотой. Полученные данные хорошо коррелируют с уменьшением интен­ сивности линии 630 см -1 [Sidorov et al., 2021], запрещенной правилами отбора в геометрии рассеяния Y(ZX)Y [Сидоров и др., 2003; Сидоров и др., 2012] и чувствительной к эффекту фото­ рефракции. Важно отметить, что для кристал­ ла L iN b O ^ O ^ мол. % B2O3 в шихте), по срав­ нению с кристаллами U N b O ^ ^ ^ ^ ^ мол. % B2O3 в шихте), характерна наибольшая рассе­ ивающая способность, что указывает на его пространственную неоднородность. Боросодержащие кристаллы LiNbO3:B(0.55 и 0.83 мол. % B2O3 в шихте), полученные по технологии прямого твердофазного легиро­ вания оксидом бора, также были исследова­ ны методом фотолюминесценции в видимой области спектра (Л=380-700 нм) [Сидоров, Смирнов и др., 2022]. В качестве объектов сравнения были выбраны: кристалл LiNbO^^, выращенный из обогащенного Li2O расплава (58.6 мол. % Li2O), близкий по составу к стехи- ометрическому кристалл U N b O ^ ^ ^ мас. % K2O), полученный по технологии HTTSSG, и кри ­ сталл LiNbO^^, выращенный из расплава кон­ груэнтного состава. В спектрах каж до го из исследованных номинально чистых кристаллов L iN bO ^ ^ , L iN bO .^ ^6 .0 мас. % K2O) и L iN b O ^ ^ в области от ~380 до 650 нм наблюдается гало и об ­ щий подъем интенсивности люминесценции в длинноволновой области (~ 700 нм) (рис. 6). При этом наиболее существенное увеличение интенсивности люминесценции в видимой области характерно для кристалла L iN bO ^ ^ . В спектрах фотолюминесценции кристаллов LiNbO3:B гало наблюдается при ~600 нм. При этом интенсивность свечения в кристалле LiNbO3:B(0.55 мол. % B2O3 в шихте) немного больше, чем в кристалле LiNbO3:B(0.83 мол. % B2O3 в шихте). Важно отметить, что интен­ сивность фотолюминесценции в кристал ­ лах LiNbO3:B(0.55 и 0.83 мол. % B2O3 в шихте) сравнима с интенсивностью люминесцен­ ции в кристалле L iN bO ^ ^ . Из рис. 6 та кже видно, что гало является сложным и содер­ ж и т широкую полосу с главным максимумом при ~ 527 нм (LiМЬС3стех), ~ 575 нм (L iN bO ^ ^ и L iN bO .^ ^6 .0 мас. % K2O)), та кже с несколь­ кими побочными максимумами при ~440 и ~650 нм соответственно. Интегральная интенсивность спектра фотолюминесценции кристаллов LiNbO^^, U N b O ^ ^ ^ мас. % K2O) и LiNbO3:B(0.55 33 Р. А. Титов, М. В. Смирнов, А. В. Кадетова, О. В. Токко, Н. А. Теплякова, Н. В. Сидоров, М. Н. Палатников rio.ksc.ru/zhurnaly/vestnik