Вестник Кольского научного центра РАН № 3, 2023 г.

комбинации возбужденных лазерным излуче­ нием носителей заряда, тем самым исключая вероятность их захвата глубокими ловушка­ ми электронов. Таким образом, особенности упорядочения структурных единиц катионной подрешетки, наличие глубоких ловушек элек­ тронов и образование «уровней прилипания» вблизи дна зоны проводимости в совокупно­ сти определяют величину эффекта фотореф­ ракции [Сидоров и др., 2003; Палатников и др., 2003; Сидоров и др., 2007]. Коноскопические картины подтвержда­ ют высокую оптическую однородность всех исследованных в данной работе кристаллов U N b O ^ ^ ^ ^ .24 мол. %B2O3в шихте). При этом все коноскопические картины кристаллов L iN bO ^, полученные при малой (1 мВт) и боль­ шой (90 мВт) мощности лазерного излучения, соответствуют картинам одноосных и опти­ чески однородных кристаллов. Однако из ри­ сунка видно, что коноскопические картины кристаллов L i N b O ^ ^ ^ ^ ^ мол. % В2О3 в шихте), полученных по технологии прямого твердофазного легирования оксидом бора, отличаются незначительной асимметрией интенсивности изохром в горизонтальном и вертикальном положениях по сравне­ нию с кристаллом L iN b O ^ Q ^ мол. % В2О3 в шихте), полученным по технологии прямого твердофазного легирования борной кисло­ той. Обычно такого рода аномальные явления на коноскопических картинах кристаллов свя­ зывают с плавным снижением их композици­ онной и структурной однородностей, возника­ ющих из-за неравномерного распределения легирующих катионов по объему кристалла. В наблюдаемые нами искажения коноско­ пических картин кристаллов L iN bO ^ могут вносить также и следующие факторы. Хими­ чески активный элемент бор, выступающий в качестве флюса в процессе получения кри­ сталлов LiNbO3:B, способен структурировать расплав, а также образовывать комплексы с примесными (особенно с переходными) металлами [Титов и др., 2021; Palatnikov et al., 2023], неизбежно присутствующими в распла­ ве в следовых количествах, а также способен выравнивать коэффициенты распределения лития и ниобия. Поскольку катионы бора вхо­ дят в структуру кристалла только в следовых количествах, то использование технологии прямого твердофазного легирования борной кислотой, по которой был получен кристалл L iN b O ^ O ^ мол. % B2O3 в шихте), по-видимо­ му, способствует более равномерному распре­ делению следовых количеств катионов бора по объему кристалла. Вид картин ФИРС кристаллов L i N b O ^ ^ ^ ^ ^ мол. % B2O3 в шихте), зареги­ стрированных через 60 секунд эксперимента (время, за которое, как правило, индикатриса спекл-структуры ФИРС раскрывается полно­ стью), зависит от технологии легирования, типа и концентрации боросодержащего соединения. Для кристалла L i N b O ^ ^ ^ мол. % B2O3 в ших­ те) наблюдается эллиптическое фотоиндуци- рованное рассеяние, которое раскрывается как в положительном, так и в отрицательном направлениях полярной оси кристалла. Рас­ крытие ФИРС кристалла L i N b O ^ ^ ^ мол. % B2O3 в шихте) происходит в форме «ромба», имеющего незначительное удлинение право­ го угла, направленного вдоль полярной оси кристалла. Для кристалла L i N b O ^ ^ ^ мол. % B2O3 в шихте) аналогично, как и для кристалла L i N b O ^ ^ ^ мол. % B2O3 в шихте), на протяже­ нии всего эксперимента наблюдается круговое рассеяние лазерного излучения на статиче­ ских структурных дефектах кристалла. На кар­ тине ФИРС кристалла L i N b O ^ ^ ^ мол. % B2O3 в шихте) наблюдается ассиметричная лемни­ ската (перевернутая восьмерка). Этот факт свидетельствует о низком значении эффекта фоторефракции для данного кристалла. В слу­ чае сильного ФИРС и эффекта фоторефракции становится невозможным рассмотрение де­ фектов, связанных с прохождением лазерного излучения через кристалл, по причине того, что на картине ФИРС овальной формы отсутствует направленная вдоль полярной оси переверну­ тая восьмерка. В ряду кристаллов L i N b O ^ ^ ^ ^ ^ мол. % B2O3 в шихте) наибольшей стойкостью к по­ вреждению лазерным излучением обладает кристалл L iN b O ^ O ^ мол. % B2O3 в шихте). Спекл-структура картины ФИРС данного кри­ 32