Вестник МГТУ. 2016, №4.

Данилин А. Н. и др. Экспериментальные исследования характеристик… 706 Схемы замещения двухкаскадных ИТ представлены на рис. 4 в полном и упрощенном варианте, где L S 1 и L S 2 – индуктивности рассеяния первичной и вторичной обмоток, L м 1 и L м 2 – индуктивности намагничивания ИТ первого и второго каскадов, С д1 и С д2 – динамические емкости ИТ первого и второго каскадов. Индуктивности рассеяния первичных обмоток меньше, чем у вторичных, в 2 Т К раз, поэтому в расчетах ими можно пренебречь. Рис. 4. Схемы замещения двухкаскадных ИТ в полном и упрощенном варианте Fig. 4. Schemes of two-stage PT replacement in the full and simplified version Для расчетов значений L S 2 , L м 1 и L м 2 используются экспериментальные данные опытов холостого хода (ХХ) и короткого замыкания (КЗ) одиночных и каскадных ИТ. Из опытов ХХ и КЗ можно определить индуктивности намагничивания однокаскадных и двухкаскадных ИТ, а также индуктивности рассеяния. Схемы замещения этих опытов приведены на рис. 5 и 6. Рис 5. Схемы замещения при опытах ХХ для однокаскадного и двухкаскадного ИТ Fig. 5. The equivalent circuit with experiments of the idling for a single-stage and two-stage PT Рис 6. Схемы замещения при опытах КЗ для однокаскадного и двухкаскадного ИТ Fig. 6. The equivalent circuit short-circuit tests for single-stage and two-stage PT Эти параметры определяются исходя из экспериментально определяемых периодов колебаний при различных включениях однокаскадных и двухкаскадных ИТ, которые приведены в формулах 1–4. 1. Режим холостого хода. Однокаскадный ИТ: 1 1 2 хх T C L µ = π . (1) Двухкаскадный ИТ: кз 1 (экв) 2 T С L µ = π , где 1 2 2 (экв) 1 2 2 ( ) S S L L L L L L L µ µ µ µ µ + = + + . (2) 2. Режим короткого замыкания. Однокаскадный ИТ: кз 1 2 2 S T C L = π . (3) Двухкаскадный ИТ: кз 1 2(экв) 2 S T C L = π , где 2(экв) 2 2 S S L L = . (4)