Вестник МГТУ. 2016, №4.

Вестник МГТУ. 2016. Т. 19, № 4. С. 697–703. DOI: 10.21443/1560-9278-2016-4-697-703 701 от температуры. При этом значение температурного коэффициента изменения ширины запрещенной зоны β меняется от (–2,38 ⋅ 10 –4 ) до (–4,62 ⋅ 10 –4 ) эВ/К. Необходимы дальнейшие исследования, чтобы понять природу процессов, вызывающих такой эффект. Очевидно, что для использования полупроводникового лазерного диода в качестве датчика для измерения низких температур следует детально изучить поведение излучения лазерного диода в области указанных температур. 3. Интервал изменения длины волны излучения промышленного полупроводникового лазерного диода, указанный в паспортных данных, может быть обусловлен температурной зависимостью ширины запрещенной зоны полупроводника в интервале рабочих температур лазера. 4. Существуют такие температурные режимы (в рассматриваемом случае это температура порядка –12 ° С), которые позволяют применять лазерный диод как инструмент с очень узкой спектральной линией излучения достаточно большой интенсивности. 5. Представленные материалы исследования актуальны для анализа работы лазерных излучателей при низких температурах эксплуатации. Библиографический список 1. Власов А. Б., Деревянкин П. Г. Способ дистанционного измерения температуры среды : пат. Рос. Федерация. № 2013129258/28(0436110) ; заявл. 25.06.2013 ; опубл. 27.11.2014. 2. Елисеев П. Г. Введение в физику инжекционных лазеров. М. : Наука, 1983. 294 с. 3. Гулямов Г., Шарибаев Н. Ю. Влияние температуры на ширину запрещенной зоны полупроводника // Физическая инженерия поверхности. 2011. Т. 9, № 1. С. 40. 4. Huanting Chen, Arno Keppens, Peter Hanselaer, Yijun Lu, Yulin Gao, Rongrong Zhuang, Zhong Chen. Failure analysis of electrical-thermal-optical characteristics of LEDs based on lGaInP and InGaN/GaN // Физика и техника полупроводников. 2012. Т. 46, вып. 10. С. 1333. 5. Дворцов Д. В., Парфенов В. А. Одночастотный режим работы лазерных диодов // Научно- технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки. 2013. № 2 (170). С. 89. 6. Подоскин А. А., Шашкин И. С., Слипченко С. О., Пихтин Н. А., Тарасов И. С. Модель оптической ячейки на основе конкуренции генерации модовых структур различной добротности в мощных полупроводниковых лазерах // Физика и техника полупроводников. 2015. Т. 49, вып. 8. С. 1108. 7. Никифоров С., Архипов А. Особенности определения квантового выхода светодиодов на основе AlGaInN и AlGaInP при различной плотности тока через излучающий кристалл // Компоненты и технологии. 2008. № 1. С. 82. 8. Власов А. Б. Исследование свойств лазерных диодов при криогенных температурах // Вестник МГТУ. 2015. Т. 18, № 1. С. 134–136. References 1. Vlasov A. B., Derevyankin P. G. Sposob distantsionnogo izmereniya temperaturyi sredy [The method of remote measurement of ambient temperature] : pat. Ros. Federatsiya. N 2013129258/28(0436110) ; zayavl. 25.06.2013 ; opubl. 27.11.2014. 2. Eliseev P. G. Vvedenie v fiziku inzhektsionnyh lazerov [Introduction to physics of diode lasers]. M. : Nauka, 1983. 294 p. 3. Gulyamov G., Sharibaev N. Yu. Vliyanie temperatury na shirinu zapreschennoy zony poluprovodnika [The effect of temperature on the width of the forbidden band of the semiconductor] // Fizicheskaya inzheneriya poverhnosti. 2011. V. 9, N 1. P. 40. 4. Huanting Chen, Arno Keppens, Peter Hanselaer, Yijun Lu, Yulin Gao, Rongrong Zhuang, Zhong Chen. Failure analysis of electrical-thermal-optical characteristics of LEDs based on lGaInP and InGaN/GaN // Fizika i tehnika poluprovodnikov. 2012. V. 46, vyp. 10. P. 1333. 5. Dvortsov D. V., Parfenov V. A. Odnochastotnyi rezhim raboty lazernyh diodov [The single-frequency mode of operation of laser diodes] // Nauchno-tehnicheskie vedomosti SPbGPU. Fiziko-matematicheskie nauki. 2013. N 2 (170). P. 89. 6. Podoskin A. A., Shashkin I. S., Slipchenko S. O., Pihtin N. A., Tarasov I. S. Model opticheskoy yacheyki na osnove konkurentsii generatsii modovyh struktur razlichnoy dobrotnosti v moschnyh poluprovodnikovyh lazerah [The optical cell model based on competitive generation modal structures of different Q-strong semi- conductor lasers] // Fizika i tehnika poluprovodnikov. 2015. V. 49, vyp. 8. P. 1108. 7. Nikiforov S., Arhipov A. Osobennosti opredeleniya kvantovogo vyhoda svetodiodov na osnove AlGaInN i AlGaInP pri razlichnoy plotnosti toka cherez izluchayuschiy kristall [Features of determining the quantum yield of the LEDs based on AlGaInP and AlGaInN at different current densities through the emitting crystal] // Komponenty i tehnologii. 2008. N 1. P. 82. 8. Vlasov A. B. Issledovanie svoystv lazernyh diodov pri kriogennyh temperaturah [Studying the properties of laser diodes at cryogenic temperatures] // Vestnik MGTU. 2015. V. 18, N 1. P. 134–136.