Вестник МГТУ. 2017, №4.

Власова С. В. и др. Особенности излучения лазерных диодов… 702 По нашему мнению, высказанное предположение требует дальнейшего как экспериментального, так и теоретического исследования. В работе [7] указано, что соединения GaAs и GaP, которые широко используются в полупроводниковой технике, дают большое разнообразие узколинейчатых спектров излучения, возникающих в результате аннигиляции экситонов, связанных на различных несовершенствах кристаллической решетки. Аналогичных данных для четверного раствора AlGaInP нами в литературных источниках обнаружить не удалось. Очевидно, это будет являться предметом будущих исследований. Выводы 1. Полученные в работе результаты свидетельствуют о том, что в области температур 50–300 К в полупроводниковом материале, из которого изготовлен лазерный диод (четверной твердый раствор AlGaInP), происходят процессы, приводящие к изменению ширины запрещенной зоны примерно на 4,5 %. 2. На зависимости E g ( T ) можно выделить два (или три) температурных интервала, соответствующие различным значениям температурного коэффициента изменения ширины запрещенной зоны. Указанный коэффициент в интервале температур 50–300 К может изменяться по абсолютной величине в 2–3 раза. 3. Значение ширины запрещенной зоны в температурном интервале 50–300 К может изменяться на 4,2–4,5 % от величины, соответствующей температуре 50 К. 4. В работе предложен экспериментальный метод определения энергий ионизации экситонных уровней. С нашей точки зрения, этот метод может найти практическое применение для контроля качества материала при изготовлении полупроводниковых лазеров. Преимущество предложенного метода заключается в том, что он позволяет получить информацию об экситонном спектре материала лазерного диода именно в узкой зоне p–n перехода, в которой формируется лазерное излучение. Благодарности Авторы благодарят администрацию Научного парка Санкт-Петербургского государственного университета за предоставленную возможность выполнить измерения, результаты которых представлены в данной публикации. Библиографический список 1. Власова С. В., Петров В. В., Шапочкин П. Ю. Использование полупроводниковых лазерных диодов в области низких температур // Вестник МГТУ. 2016. Т. 19, № 4. С. 697–703. 2. Власов А. Б. Исследование свойств лазерных диодов при криогенных температурах // Вестник МГТУ. 2015. Т. 18, № 1. С. 134–136. 3. Елисеев П. Г. Введение в физику инжекционных лазеров. М. : Наука, 1983. 294 с. 4. Гулямов Г., Шарибаев Н. Ю. Влияние температуры на ширину запрещенной зоны полупроводника // Физическая инженерия поверхности. 2011. Т. 9, № 1. С. 40–43. 5. Вайнштейн И. А., Зацепин А. Ф., Кортов В. С. О применимости эмпирического соотношения Варшни для температурной зависимости ширины запрещенной зоны // Физика твердого тела. 1999. Т. 41, Вып. 6. С. 994–998. 6. Зубкова С. М., Русина Л. Н., Смелянская Е. В. Температурная зависимость зонной структуры политипов 3C, 2H, 4H и 6H карбида кремния // Физика и техника полупроводников. 2003. Т. 37, Вып. 3. С. 257–265. 7. Смит Р. Полупроводники / под ред. Н. А. Пенина. 2-е изд., перераб. и доп. М. : Мир, 1982. 560 с. References 1. Vlasova S. V., Petrov V. V., Shapochkin P. Yu. Ispolzovanie poluprovodnikovyh lazernyh diodov v oblasti nizkih temperatur [The use of semiconductor laser diodes at low temperatures] // Vestnik MGTU. 2016. V. 19, N 4. P. 697–703. 2. Vlasov A. B. Issledovanie svoystv lazernyh diodov pri kriogennyh temperaturah [Studying the properties of laser diodes at cryogenic temperatures] // Vestnik MGTU. 2015. V. 18, N 1. P. 134–136. 3. Eliseev P. G. Vvedenie v fiziku inzhektsionnyh lazerov [Introduction to the physics of diode lasers]. M. : Nauka, 1983. 294 p. 4. Gulyamov G., Sharibaev N. Yu. Vliyanie temperatury na shirinu zapreschennoy zony poluprovodnika [The effect of temperature on the width of the forbidden band of the semiconductor] // Fizicheskaya inzheneriya poverhnosti. 2011. V. 9, N 1. P. 40–43. 5. Vaynshteyn I. A., Zatsepin A. F., Kortov V. S. O primenimosti empiricheskogo sootnosheniya Varshni dlya temperaturnoy zavisimosti shiriny zapreschennoy zony [On the applicability of the empirical Varshni relation for the temperature dependence of the width of the forbidden band] // Fizika tverdogo tela. 1999. V. 41, Vyp. 6. P. 994–998.