Вестник МГТУ. 2017, №4.

Вестник МГТУ. 2017. Т. 20, № 4. С. 697–704. DOI: 10.21443/1560-9278-2017-20-4-697-704 699 Для лазера L 1 на графике зависимости E g ( T ) можно выделить два участка с различными значениями показателя β: первый – на участке температур от 50 до 130 К, второй – на участке от 150 до 270 К (рис. 3, а , кривая 1). Величина температурного коэффициента изменения ширины запрещенной зоны β = –2,38 · 10 –4 эВ/К для низкотемпературного участка и β = –4,62 · 10 –4 эВ/К для высокотемпературного участка. Рис. 2. Спектры излучения полупроводникового лазерного диода AlGaInP ( L 2 ) при различных температурах (ток накачки составляет 1,2 от значения порогового тока): 1 – 50 К; 2 – 90 К; 3 – 130 К; 4 – 160 К; 5 – 180 К; 6 – 210 К; 7 – 230 К; 8 – 250 К; 9 – 210 К; 10 – 290 К Fig. 2. The emission spectra of the semiconductor laser diode AlGaInP ( L 2 ) at different temperatures (the pump current is 1.2 times the threshold current): 1 – 50; 2 – 90; 3 – 130; 4 – 160; 5 – 180; 6 – 210; 7 – 230; 8 – 250; 9 – 210; 10 – 290 K а б Рис. 3. Зависимость ширины запрещенной зоны E g от температуры ( а ) и натурального логарифма ширины запрещенной зоны lnE g от обратной температуры ( б ) для полупроводникового лазера AlGaInP: 1 – диод L 1 ; 2 – диод L 2 Fig. 3. The dependence of the width of the forbidden zone E g on temperature ( a ) and the natural logarithm of the width of the forbidden zone lnE g on the inverse temperature ( б ) for the semiconductor laser AlGaInP: 1 – L 1 diode; 2 – L 2 diode 0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 606 610 614 618 622 626 630 634 638 642 646 Интенсивность λ, нм 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 1,88 1,9 1,92 1,94 1,96 1,98 2 2,02 2,04 2,06 0 50 100 150 200 250 300 350 E g , эВ T,K 1 2 0,64 0,65 0,66 0,67 0,68 0,69 0,7 0,71 0,72 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 ln Eg , [эВ] 1000/ T , K -1 1 2