Вестник МГТУ. 2017, №4.

Власова С. В. и др. Особенности излучения лазерных диодов… 698 сделать вывод, что указанному в паспортных данных рабочему интервалу температур соответствует как спонтанное, так и частично вынужденное излучение. а б Т = 290 К Т = 230 К в г Т = 130 К Т = 90 К Рис. 1. Влияние температуры на спектральный состав излучения полупроводникового лазерного диода (AlGaInP) Fig. 1. The influence of temperature on the spectral composition of semiconductor laser diode (AlGaInP) radiation Из рис. 1 и 2 видно, что излучение лазерного диода при любой температуре лежит в некотором интервале длин волн. В дальнейшем длиной волны излучения лазера при конкретной температуре будем считать длину волны, соответствующую максимальному значению интенсивности лазерного излучения в спектре, измеренном при данной температуре. Как известно, ширина запрещенной зоны E g связана с длиной волны лазерного излучения следующим соотношением ( h – постоянная Планка, с – скорость света в вакууме) [3]: . g hc E = λ (1) Ширина запрещенной зоны полупроводников, как правило, уменьшается с ростом температуры [4; 5]. Это подтверждается результатами выполненного авторами эксперимента (рис. 3, а ) для лазеров на основе твердого четверного раствора AlGaInP. Показано, что в исследуемом интервале температур зависимость E g ( T ) является нелинейной. Количественно воздействие температуры на ширину запрещенной зоны оценивается температурным коэффициентом изменения ширины запрещенной зоны [4]: 2 1 2 1 , g g E E T T − β = − (2) где E g 1 и E g 2 – ширина запрещенной зоны полупроводника при температуре Т 1 и Т 2 соответственно. 0 200 400 600 800 632,5 633 633,5 634 634,5 635 635,5 Интенсивность λ , нм 0 200 400 600 800 1000 622 622,5 623 623,5 624 Интенсивность λ , нм 0 100 200 300 400 500 600 700 800 612,5 613 613,5 Интенсивность λ , нм 0 100 200 300 400 500 609 609,5 610 610,5 Интенсивность λ , нм