Вестник МГТУ. 2015, №1.

ВестникМГТУ, том 18, № 1, 2015 г. стр. 134-136 Рис. 2. Зависимость яркости излучения лазерного диода от тока Длина волны излучения лазерного диода LD63058TL при понижении температуры в пределах от 20 до -80 °C уменьшалась от 635 нм до 615 нм (рис. 3). Данное явление обусловлено зависимостью ширины запрещенной зоны Д£', от температуры (Гулямов, Шарибаев, 2011). г t r \ --------------------------------------------------------------------------- оти р о сООО ________________________________________________________ DZO ^^9 СПП ------------------------------------------------------ 64-5— * п - D tu --------------------------------------------------------------------------- 6 6 5 - -100 -80 -60 -40 -20 0 20 Г, °C Рис. 3. Зависимость длины волны излучения лазерного диода LD63058TL от температуры В ходе эксперимента установлено относительное изменение яркости излучения Е(Т)/ЕЖ) (рис. 4): при фиксированном токе через диод (I = 30 мА) наблюдалось увеличение яркости излучения при уменьшении температуры от комнатной до 100 К. 3. Выводы Исследование свойств полупроводниковых лазерных диодов в широком интервале температур необходимо в процессе разработки новых приборов, предназначенных для дистанционной оценки температур (Власов, Деревянкин, 2013). Наблюдаемое изменение параметров лазерных диодов (длины волны и яркости излучения) представляет значительный интерес для усовершенствования оптических способов оценки температуры (Власов, 2006), так как современные тепловизионные системы и точечные пирометры имеют рабочий диапазон эксплуатации не ниже 20-25 °C. Перспективным направлением развития приборостроения является применение оптических датчиков, выполненных на основе лазерных диодов с использованием беспроводных источников напряжения. 135