Труды КНЦ (Технические науки вып. 1/2024(15))

Труды Кольского научного центра РАН. Серия: Технические науки. 2024. Т. 15, № 1. С. 147-153. Transactions of the Kola Science Centre of RAS. Series: Engineering Sciences. 2024. Vol. 15, No. 1. P. 147-153. Рис. 5. Диаграммы комплексного импеданса ZnFe 2 O4, синтезированных при температуре 800 °С (а) и 900 °С (б) R D-i .С w„ .с . I— w :. — Рис. 6. Эквивалентная схема замещения Подобный вид диаграмм может моделироваться различными схемами замещения [7], мы же выбрали схему (рис. 6), как в наибольшей степени отвечающую физической картине процессов и удовлетворительно моделирующую экспериментальные годографы. Выбор схемы с импедансом Варбурга представляется вполне обоснованным применительно к рассматриваемым спектрам, так как начальный участок высокочастотной области в небольшом интервале линеен, что характерно для диффузионных процессов. Первая ячейка моделирует процессы, происходящие в кристаллите (индекс g), а вторая связана с межзёренными границами (индекс b). Сопротивление Rel связано с электронной проводимостью. Полученные зависимости импеданса исследуемых образцов экстраполируются к оси реальной части импеданса, то есть в приближении, когда частота измерительного поля стремится к нулю. Для наиболее точного расчёта параметров эквивалентных схем замещения использовалось программное обеспечение EIS Spectrum Analyser. Результаты подобного расчета приведены на рис. 5 в виде красной линии. На рис. 5а и б наблюдается хорошая корреляция между результатами расчётов и измеренными данными. Результаты расчёта сведены в табл. 2. Таблица 2 Параметры эквивалентной схемы замещения Температура синтеза, °С Cg, Ф Съ, Ф Rel, Ом R g, О м Rb, Ом Wg, Ом-с ~0,5 Wb, Ом-с ~0,5 800 8 ,1 4 1 0 12 4,12-10 -11 350 1,5 10 6 1,98-106 2,62-108 2Д4408 900 5Д440-12 1,5610-11 600 2,54-10 5 5,71-105 1,75 •10 8 1,74-10 8 © Дубровина В. Н., Ефремов В. В., Ахметов О. И., Шичалин О. О., 2024 151