Труды КНЦ (Технические науки вып. 6/2023(14))

Труды Кольского научного центра РАН. Серия: Технические науки. 2023. Т. 14, № 6. С. 84-92. Transactions of the Kola Science Centre of RAS. Series: Engineering Sciences. 2023. Vol. 14, No. 6. P. 84-92. Рис. 2. Образцы необработанной друзы карбида кремния после процесса спекания Fig. 2. Samples of untreated drusen of silicon carbide after the smelting process Предварительные эксперименты по воздействию высоковольтных импульсов на сростки карбида кремния показали, что материал проявляет сильные полупроводниковые свойства, то есть даже при кратковременном воздействии на него высокого напряжения его сопротивление практически мгновенно уменьшается до уровня единиц ома и формирования канала пробоя не происходит. На рис. 3 приведены совмещенные осциллограммы напряжения (3, a) разряда ёмкости 0,4 мкФ на электродную систему «остриё-остриё» с образцом SiC, а также импульсные токи и расчетные зависимости импульсного сопротивления образца (3, б). Исходя из определённых выше свойств, в данной работе для разрушения карбида кремния применялся электрогидроимпульсный метод. 950^ 9000 а 5$і 18 8500 17 8000 16 7500 15 7000 14 6500 13 6000 12 5500 11 5000 -10 4500 9 4000 8 3500 7 3000 6 2500 5 2000 4 1500 3 1000 2 500 1 0 L о 1 А кл 5 4 и Г 'Лл/'5 / ■Г4* ' t, Г Ч _ —"Г" — 11 - 8 мкс a б Рис. 3. Параметры тестовых импульсных разрядов на образец SiC: a — осциллограммы импульсов напряжения на электродной системе с образцом; б — осциллограммы импульсного тока через образец и расчётные кривые сопротивления Fig. 3. Parameters of test pulse discharges on the SiC sample: a — oscillograms of voltage pulses on the electrode system with the sample; б — oscillograms of pulse current through the sample and calculated resistance curves Устройства дезинтеграции В процессе определения удельных энергозатрат разрушения материалов использовались следующие установки: © Климов А. А., Селиванов В. Н., 2023 87