Труды КНЦ (Технические науки вып.3/2023(14))

Труды Кольского научного центра РАН. Серия: Технические науки. 2023. Т. 14, № 3. С. 216-221 Transactions of the Kola Science Centre of RAS. Series: Engineering Sciences. 2023. Vol. 14, No. 3. P. 216-221 X20H80 + BT1-0 X20H80 + BT20 а б Рис. 1. Кинетика диффузионного взаимодействия при температуре 700 (а) и 850 °С (б) Металлографические исследования показали, что в композиции Х20Н80 + ВТ1-0 при температуре 700 °С на границе соединения формируется слоистая ДЗ, состоящая из четырех четко различимых областей (рис. 2, а). Точечный энергодисперсионный анализ (рис. 2, г) позволил установить, что со стороны титанового слоя формируется сплошной слой интерметаллида Ti 2 Ni, после которого находится прослойка интерметаллида TiNi, составляющая большую часть ДЗ. Со стороны нихрома располагаются две области, одна из которых представляет собой включения твердого раствора титана в хроме, разделенные тонкими прослойками интерметаллида TiNi 3 , а вторая соответствует слою интерметаллида TiNi 3 переменной толщины. Распределение химических элементов в поперечном сечении показало отсутствие диффузии элементов в нихром и титан. д Рис. 2. Структура диффузионной зоны на границе Х20Н80 + ВТ1-0 (а), Х20Н80 + ОТ4 (б) и Х20Н80 + ВТ20 (в) после 700 °С, 100 ч (а) и результаты точечного энергодисперсионного анализа (г, д, е) г е В случае композиции Х20Н80 + ОТ4 при температуре 700 °С формируется аналогичная ДЗ, в которой вместо бинарных интерметаллидов системы Ti-Ni образовались твердые растворы на их основе (рис. 2, б). Образование твердых растворов на базе TiNi и Ti 2 Ni произошло за счет диффузии легирующих компонентов из сплава ОТ4, то есть Al и Mn. Принципиальным отличием в ДЗ по сравнению с композицией Х20Н80 + ВТ1-0 является образование в титановом слое включений интерметаллида Ti 2 Ni. Также отмечено отсутствие светлых включений в структуре титана на расстоянии около 50 мкм от ДЗ, что обусловлено снижением концентрации Mn в этой области. © Кулевич В. П., Богданов А. И., Шморгун В. Г., Камалов Э. Р., 2023 218