Труды КНЦ (Технические науки вып.2/2023(14))

Труды Кольского научного центра РАН. Серия: Технические науки. 2023. Т. 14, № 2. С. 82-86. Transactions of the tola Science Centre of RAS. Series: Engineering Sciences. 2023. Vol. 14, No. 2. P. 82-86. Рис. 4. Микрофотографии осадков кремния, полученных при электролизе расплава KF-KC l-K 2 SiF 6 на стеклоуглероде при катодной плотности тока 0.02 А/см2и температуре 750 °С: а — без добавки KI; б — с добавкой 2 мол. % KI; в — с добавкой 4 мол. % KI Таким образом, приведенные результаты электрохимических измерений и экспериментов по электроосаждению кремния указывают на существенное влияние иодида на морфологию осадков кремния, а именно: при добавлении и повышении концентрации иодида в расплаве следует ожидать сглаживание осадка при прочих равных условиях. Заключение 1. Методом линейной вольтамперометрии изучен процесс электрохимического восстановления кремния на стеклоуглероде в расплаве KF (66,5 мол. %) — KCl (33,3 мол. %) — K 2 SiF 6 (0,23 мол. %) без добавок йодида калия и с добавкой 2 мол. % йодида калия. 2. Установлено, что добавление в расплав KF (66,5 мол. %) — KCl (33,3 мол. %) — K 2 SiF 6 (0,23 мол. %) йодида калия в количестве 2 мол. % приводит к изменению влияния мениска на трехфазной границе электрод / газовая фаза / расплав на реальную площадь электрода с +12,9 до -10,9 %. 3. Добавление 2 мол. % йодида калия в расплав KF (66,5 мол. %) — KCl (33,3 мол. %) — K 2 SiF 6 (0,23 мол. %) не приводит в изменению механизма или кинетики электрохимического восстановления кремния на стеклоуглероде. 4. Добавление 2 и 4 мол. % йодида калия в расплав KF (66,5 мол. %) — KCl (33,3 мол. %) — K 2 SiF 6 (0,23 мол. %) приводит к получению более агломерированных осадков для 2 мол. % KI и близких к сплошным осадкам для 4 мол. % KI. Список источников 1. Кузнецова С. В., Долматов В. С., Кузнецов С. А. Вольтамперометрическое исследование электровосстановления комплексов кремния в хлоридно-фторидномрасплаве // Электрохимия. 2009. Т. 45. C. 797-803. 2. Bieber A. L., Massot L., Gibilaro M., Cassayre L., Chamelot P., Taxil P. Fluoroacidity evaluation in molten salts // Electrochim. Acta. 2011. Vol. 56. P. 5022-5027. 3. Boen R., Bouteillon J. The electrodeposition of silicon in fluoride melts // J. Appl. Electrochem. 1983. Vol. 13. P. 277-288 4. Павленко О. Б., Устинова Ю. А., Жук С. И., Суздальцев А. В., Зайков Ю. П. Электроосаждение кремния из расплавов на основе легкоплавкой системы LiCl — KCl — CsCl // Расплавы. 2022. № 1. С. 49-60. 5. Гевел Т. А., Жук С. И., Леонова Н. М., Леонова А. М., Суздальцев А. В., Зайков Ю. П. Электроосаждение кремния из расплава KCl — CsCl — K 2 S 1 F 6 // Расплавы. 2022. № 4. С. 350-361. 6. Yasuda K., Kato T., Norikawa Yu., Nohira T. Silicon electrodeposition in a water-soluble KF — KCl molten salt: Properties of Si films on graphite substrates // J. Electrochem. Soc. 2021. Vol. 168. P. 112502. 7. Zhuk S. I., Isakov A. V., Apisarov A. P., Grishenkova O. V., Isaev V. A., Vovkotrub E. G., Zaikov Yu. P. Electrodeposition of continuous silicon coatings from the KF — KCl — K 2 SiF 6 melts // J. Electrochem. Soc. 2017. Vol. 164 (8). P. H5135. 8. Жук С. И., Гевел Т. А., Зайков Ю. П. Влияние материала подложки на кинетику и механизм электроосаждения кремния из расплава KCl — KF — K 2 SiF 6 // Расплавы. 2021. № 4. С. 354-364. 9. Laptev M. V., Isakov A. V., Grishenkova O. V., Vorob'ev A. S., Khudorozhkova A. O., Akashev L. A., Zaikov Yu. P. Electrodeposition ofthin silicon films from the KF — KCl— KI — K 2 SiF 6 melt // J. Electrochem. Soc. 2020. Vol. 167 (4). P. 042506. References 1. Kuznetsova S. V., Dolmatov V. S., Kuznetsov S. A. Voltammetric study of electroreduction of silicon complexes in a chloride-fluoride melt. Rus. J. Electrochem., 2009, vol. 45, pp. 742-748. 2. Bieber A. L., Massot L., Gibilaro M., Cassayre L., Chamelot P., Taxil P. Fluoroacidity evaluation in molten salts. Electrochim. Acta, 2011, vol. 56, pp. 5022-5027. 3. Boen R., Bouteillon J. The electrodeposition of silicon in fluoride melts. J. Appl. Electrochem., 1983, vol. 13, pp. 277-288. © Жук С. В., Минченко Л. М., Суздальцев А. В., Исаков А. В., Зайков Ю. П., 2023 85