Труды КНЦ (Технические науки вып.1/2022(13))

LiNbO 3 : Zn наблюдается асимметрия рассеянного излучения (рис. 2, в). При этом для кристалла LiNbOзконг. при длине волны 530,9 нм в отрицательном направлении полярной оси (— 2 о) наблюдается увеличение интенсивности рассеянного излучения по сравнению с кристаллами LiNbO 3 : Zn (0,04-2,01 мол. % ZnO в кристалле) и LiNbO 3 : B (0,55 и 0,83 мол. % B 2 O 3 в шихте) (рис. 2, г). Для кристалла LiNbOзконг. в целом при длине волны 530,9 нм характерно наименьшее угловое распределение интенсивности ФИРС (рис. 2, г). Из рисунка 2 видно, что наибольшей асимметрией, интенсивностью и углом рассеянного излучения Ѳ, вне зависимости от длины волны возбуждающего излучения, обладает кристалл LiNbOзстех., для которого характерно повышенное значение, по сравнению с LiNbOзконг., концентрации мелких ловушек электронов [5, 8 , 9, 14, 15]. Это хорошо согласуется с полученными нами экспериментальными и расчётными данными: в каждой из четырёх серий экспериментов при разных длинах волн (за исключением кристалла LiNbO 3 : B (0,55 мол. % B 2 O 3 в шихте) при 476,5 нм и кристалла LiNbO 3 : B (0,83 мол. % B 2 O 3 в шихте) при 488,0 нм) величина диффузионного поля кристалла LiNbOзстех. в ряду исследованных кристаллов максимальна (см. таблицу). Стоит отметить, что угловое распределение интенсивности ФИРС для кристалла LiNbOзстех. при длине волны 530,9 нм ведёт себя иначе, чем при меньших длинах волн: правое «плечо» углового распределения интенсивности ФИРС поднято выше, и его максимум смещён к центру (см. рис. 2, г). Труды Кольского научного центра РАН. Серия: Технические науки. 2022. Т. 13, № 1. С. 252-259. Transactions of the to la Science Centre of RAS. Series: Engineering Sciences. 2022. Vol. 13, No. 1. P. 252-259. 16 -8 0 8 16 24 32 gin -8 0 8 16 gin 24 Рис. 2. Угловое распределение интенсивности ФИРС при 476,5 (а), 488,0 (б), 514,5 (в) и 530,9 нм (г) номинально чистых кристалловЫ№Озстех. (1), Li^Os^^. (2), кристаллов LiNbO3 : Zn (0,04 (3), 0,07 (4), 1,19 (5), 1,39 (6) и 2,01 (7) мол. % ZnO в кристалле) и LiNbO 3 :B (0,55 (8) и 0,83 (9) мол. % B 2 O 3 вшихте) С целью исследования вклада мелких ловушек электронов в эффект фоторефракции исследуемых кристаллов нами была построена зависимость доли ED от длины волны возбуждающего лазерного излучения (рис. 3, а). Стоит отметить, что вклад E d в раскрытие индикатрисы ФИРС для кристалла LiNbOзстех. линеен и больше вклада E d кристаллов LiNbOзконг., LiNbO 3 : Zn (0,04-2,01 мол. % ZnO в кристалле) и LiNbO 3 : B (0,55 и 0,83 мол. % B 2 O 3 в шихте) (см. рис. 3), что свидетельствует о существенно меньшем количестве дефектов NbLi в структуре кристалла LiNbOзстех.. Исключение составляют кристалл © Титов Р. А., Сидоров Н. В., Теплякова Н. А., Габаин А. А., Палатников М. Н., 2022 255