Труды КНЦ вып.4(ХИМИЯ И МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ) вып. 3/2020(11)

350-1 ▼ 120 В А 90 В • 60 В ■ 30 В 300- ■ х к 250 - s н -□ ■ о_ о 200 ­ С (В X ■ S 3"150- с; о ▼ ▲ ▲ ▲ 100- 50 Я -------- 1 -------- 1 -------- 1 -------- 1 -------- 1 -------- 1 -------- 1 -------- Г" 0 15 30 45 60 ---------- Г ­ 75 360 Время анодирования, мин Рис. 5. Зависимость толщины пленки от времени анодирования Заключение Пленки пентаоксида ниобия толщиной от 30 до 400 нм могут быть получены в течение первых 15 мин процесса в зависимости от величины напряжения при оксидировании. Сплошные плотные пленки были получены при минимальном (10 В) и максимальных (130 и 140 В) значениях напряжения. Литература 1. Выбор материала подложки для нанесения сверхпроводящего покрытия / А. Р. Дубровский и др. // ЖПХ. 2016. Т. 89, № 5. С. 612-618. 2. Superconducting Niobium Coatings Deposited on Spherical Substrates in Molten Salts / A. Dubrovskiy et al. // Coatings. 2018. Vol. 8, No. 6. P. 213. 3. ДиденкоА. Н., Севрюкова Л. М., Ятис А. А. Сверхпроводящие ускоряющие СВЧ-структуры. М.: Энергоиздат, 1981. 208 с. 4. Semiconductive Properties of Anodic Niobium Oxides / A. I. De Sa et al. // Port. Electrochim. Acta. 2006. Vol. 24, Iss. 2. P. 305-311. 5. Формирование пленок оксидов ниобия на монокристаллическом кремнии / В. А. Логачева и др. // Неорганические материалы. 2007. Т. 43, № 11. C. 1366-1371. 6. Зайцев С. В., Герасименко Ю. В., Салтыков С. Н. Формирование ультратонких пленок Nb2O5 на подложках из кварца // Неорганические материалы. 2011. Т. 47, № 4. С. 468-472. 7. Jellison Jr., G. E., Modine F. A. Parameterization of the optical functions of amorphous materials in the interband region // Appl. Phys. Lett. 1996. Vol. 69, Iss. 3. P. 371-373. 8. Color change mechanism of niobium oxide thin film with incidental light angle and applied voltage / I. Komatsu et al. // Thin Solid Films. 2016. Vol. 603. P. 180-186. 9. Young L. Anodic oxide films on niobium // Canad. J. Chem. 1960. Vol. 38, No. 7. P. 1141-1147. Сведения об авторах Окунев Максим Александрович аспирант, Институт химии и технологии редких элементов и минерального сырья им. И. В. Тананаева ФИЦ КНЦ РАН, г. Апатиты, Россия, m.okunev@ksc.ru Дубровский Антон Решатович кандидат технических наук, Институт химии и технологии редких элементов и минерального сырья им. И. В. Тананаева ФИЦ КНЦ РАН, г. Апатиты, Россия, a.dubrovskii@ksc.ru 141

RkJQdWJsaXNoZXIy MTUzNzYz