Труды КНЦ вып.3 (ХИМИЯ И МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ) вып. 1/2019(10))

Рис.2. Зависимость сопротивления слоев ITO от скорости напыления при постоянном парциальном давлении кислорода и постоянном суммарном давлении ( a ); зависимость сопротивления слоев ITO от парциального давления кислорода при постоянной скорости напыления ( б ) [7] Fig. 2. The dependence of the resistance of ITO layers on the deposition rate at constant partial pressure of oxygen and constant total pressure ( a ); dependence of the resistance of ITO layers on the partial pressure of oxygen at constant deposition rate ( б ) [7] Распыление металлической мишени в чистом аргоне без добавления кислорода способствует формированию непрозрачных металлических пленок с очень хорошей проводимостью. Если кислород присутствует, но в недостаточном для данной скорости напылении количестве, то на подложке формируются пленки из нестехиометрических по составу оксидов, обладающие низкой прозрачностью в видимой области и высоким сопротивлением (область I , рис. 1). Если же скорость напыления слишком мала для заданного давления кислорода, то получаются аморфные прозрачные пленки, обладающие высоким сопротивлением (область II , рис. 1). Проводимость и прозрачность пленок могут быть значительно повышены посредством отжига в атмосфере кислорода, в процессе которого происходит доокисление оксидов до стехиометрического состава. Для напыления низкоомных пленок TCO на полимерные подложки, не допускающие их нагрева до температур выше 100 °С, возможно применение ионного ассестирования роста пленки [8]. Электронно-ионная бомбардировка пленок в процессе их роста приводит к удалению с поверхности осаждаемой плёнки примесей и получению более плотных пленок. Приняв во внимание приведенные выше исследования, мы подобрали технологические режимы получения пленок In 2 O 3 , SnO 2 , ZnO методом реактивного магнетронного распыления без высокотемпературного нагрева и отжига подложек и в последовательном подборе технологических режимов реактивного магнетронного распыления мишений Sn, In, Zn в кислородосодержащей атмосфере. На первом этапе при распылении металлических мишеней Sn, In, Zn в атмосфере смеси газов Ar (80 %) / O 2 (20 %) была определена номинальная мощность газового разряда, позволяющая достичь оптимальной скорости роста пленок 2-3,5 А/с. Оптимальный режим напыления пленок был достигнут при мощности разряда 100 Вт, время напыления пленок толщиной 130 нм составило 12 мин. Следующий этап заключался в подборе 96