Труды КНЦ вып.3 (ХИМИЯ И МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ) вып. 1/2019(10))

изменяли с шагом в 3 ° в положительном и отрицательном направлениях и фиксировали показания мультиметра, установленного в режим амперметра. При каждом измерении ожидали стабилизации показания прибора, когда процессы перекачки энергии сводились к минимуму. Расчет величин фотовольтаического и диффузионного полей в исследованных кристаллах осуществлялся в программе Mathcad 15.0. Съёмка картин ФИРС для их качественного анализа проводилась с помощью установки, подробно описанной в работе [6]. Рассеянное кристаллом излучение регистрировалось цифровой фотокамерой на полупрозрачном экране. Обработка результатов и выводы Значения величин напряжённости фотовольтаического и диффузионного полей определялись по формулам, представленным в работе [7]. Результаты представлены в таблице. Показатели преломления необыкновенного и обыкновенного лучей, необходимые для проведения расчётов, определялись из эмпирических уравнений, приведенных в [8]. Значения напряжённости фотовольтаического и диффузионного полей для исследуемых кристаллов при 514,5 нм The values of the intensity of the photovoltaic and diffusion fields for the studied crystals at 514,5 nm № Кристалл E pv , кВ/см E d, кВ/см 1 LiNbO 3 Zn (0,018 мас. %) 4,820 1,256 2 LiNbO 3 Zn (0,03 мас. %) 6,075 0,650 3 LiNbO 3 Zn (0,52 мас. %) 4,730 2,313 4 LiNbO 3 Zn (0,615 мас. %) 8,203 1,159 5 LiNbO 3 Zn (0,88 мас. %) 4,783 1,384 6 LiNbO 3 Zn (1,98 мас. %) 6,551 0,491 7 LiNbO 3 Zn (2,01 мас. %) 6,551 0,491 8 LiNbO 3 Zn (2,02 мас. %) 6,823 0,220 9 LiNbO 3 Zn (2,12 мас. %) 5,303 0,442 10 LiNbO 3 Zn (2,12 мас. %, гомог. лег.) 6,551 0,491 11 LiNbO 3 Zn (2,93 мас. %) 7,721 0,480 12 LiNbO^ (6 мас. % K 2 O) 6,855 2,508 13 Li^O s™^. 6,232 0,810 Из полученных данных видно, что в кристаллах LiNbO 3 : Zn (0,03), LiNbO 3 : Zn (0,615), LiNbO 3 : Zn (1,98), LiNbO 3 : Zn (2,01), LiNbO 3 : Zn (2,02), LiNbO 3 : Zn (2,12), LiNbO 3 : Zn (2,12, гомогенного легирования), LiNbO 3 : Zn (2,93 мас. %) и Li^Os^^. большой вклад в перенос заряда даёт фотовольтаический механизм. Стоит отметить, что у перечисленных кристаллов индикатриса ФИРС не раскрывается, а происходит рассеяние падающего излучения на дефектах кристаллической решётки, кроме кристалла LiNbO 3 : Zn (0,615 мас. %) (рис., 2 , 6 - 11 , 13 ). В кристаллах, где значительный вклад в перенос заряда вносит также и диффузионный механизм наблюдается раскрытие индикатрисы ФИРС в виде восьмёрки (рис., 1 , 3 , 5 , 12 ). 436