Труды КНЦ вып.3 (ХИМИЯ И МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ) вып. 1/2019(10))

У разработанных материалов определяли такие диэлектрические свойства, как фактор диэлектрической добротности Q х f и диэлектрическая проницаемость s . Измерение указанных свойств производили при частоте 1 МГц. Во всем интервале температур наблюдается увеличение фактора диэлектрической добротности Q х f от 549 МГц при 850 °С до 832 МГц при 950 °С. Наибольший Q х f наблюдается при температуре обжига 950 °С и составляет 832 МГц (рис. 3, а ). Аналогичная зависимость наблюдается и для диэлектрической проницаемости s образцов: с увеличением температуры обжига значения s также возрастают. Наибольшие значения s проявляют образцы, полученные при температуре 950 °С, и составляют 23,1 (рис. 3, б ). 850 800 750 700 S 650 =1 В. О О В- 550 £ ч 500 600 825 850 875 900 925 950 975 Температура обжига, “ С 23,2 23 22,8 s 22,6 X =Г 22,4 m о 22,2 22 а 825 850 875 900 925 950 975 Температура обжига, “ С б Рис. 3. Результаты определения фактора диэлектрической добротности Q х f ( а ) и диэлектрической проницаемости s ( б ) образцов ЛЦТ + 3,0 мас. % ЛБС Fig. 3. The results of determining the dielectric quality factor Q х f ( а ) and dielectric constant s ( б ) of LZT samples + 3,0 wt. % LBSi На рисунке 4 представлены результаты СЭМ образца, полученного при температуре обжига 850 °С. Микроструктура представлена кристаллами двух видов: большими кристаллами неправильной формы с размером от 12 до 25 мкм и более мелкими с размером от 2 до 10 мкм. Возможно, что в ходе спекания происходит активная рекристаллизация одной из двух тугоплавких (Li 2 ZnTi 3 O 8 или Zn 2 TiO 4 ) фаз через жидкую фазу. При этом наблюдается некоторая остаточная закрытая межкристаллическая пористость порядка 0,5 %. 397