Труды КНЦ вып.3 (ХИМИЯ И МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ) вып. 1/2019(10))

DOI: 10.25702/KSC.2307-5252.2019.10.1.394-399 УДК 666.3 И. Н. Хусаинов, Д. И. Вершинин, Н. А. Макаров Российский химико-технологический университет им. Д. И. Менделеева, г. Москва, Россия ВЛИЯНИЕ ЭВТЕКТИЧЕСКОЙ ДОБАВКИ Li 2 O — B 2 O 3 — SiO 2 НА СВОЙСТВА КЕРАМИКИ В СИСТЕМЕ Li 2 O — ZnO — TiO 2 Аннотация. В системе Li 2 O — ZnO — TiO 2 разработан материал для технологии низкотемпературного сообжига керамики, который впоследствии можно применять для производства электронных компонентов. Температура спекания материала снижена с 1075 до 950 °C путем введения спекающей добавки эвтектического состава в системе Li 2 O — B 2 O 3 — SiO 2 . Определено влияние добавки на процесс спекания, микроструктуру и диэлектрические свойства полученного материала. Разработанная керамика характеризуется диэлектрической проницаемостью £ 23,1 и фактором диэлектрической добротности Q х f 832 МГц. Ключевые слова: керамические диэлектрики, LTCC, низкотемпературная сообжиговая керамика, эвтектика. I. N. Khusainov, D. I. Vershinin, N. A. Makarov D. Mendeleev University of Chemical Technology of Russia, Moscow, Russia INFLUENCE OF THE EUTECTIC ADDITIVE Li 2 O — B 2 O 3 — SiO 2 ON THE PROPERTIES OF CERAMIC IN THE SYSTEM Li 2 O — ZnO — TiO 2 Abstract. In the Li 2 O — ZnO — TiO 2 system, a material for the low-temperature co-firing technology of ceramics, which can then be used for production of electronic components, has been developed. The sintering temperature of the material was reduced from 1075 to 950 °C by introducing a sintering additive of eutectic composition in the Li 2 O — B 2 O 3 — SiO 2 system. The influence of the additive on the sintering process, microstructure and dielectric properties of the obtained material was determined. The developed ceramics is characterized by dielectric permittivity £ 23,1 and quality factor Q х f 832 MHz. Keywords: ceramic dielectrics, LTCC, low temperature co-firable ceramic, eutectic additive. Стремительное развитие технологий беспроводной электроники в последние десятилетия предъявляет качественно новые требования к керамическим материалам, используемым в электронике в качестве подложек для различных электронных компонентов. К этим требованиям следует отнести, в первую очередь, компактность и высокую производительность в СВЧ- диапазоне. Миниатюризация и, как следствие, компактность керамических подложек стала возможна благодаря технологии низкотемпературного сообжига керамики (LTCC, НСК) [1]. Данная технология позволяет осуществлять при температурах ниже 961 ° С обжиг керамической подложки и вжигание серебряной металлизации в одну стадию, что положительно сказывается на энерго- и ресурсоэффективности производства. Целью работы является синтез материала для технологии LTCC с температурой спекания ниже 961 ° С и следующим уровнем электрофизических свойств: диэлектрическая проницаемость s не ниже 20 и фактор диэлектрической добротности 700-1000 МГц. Для синтеза низкотемпературной керамики наиболее перспективной признана система Li 2 O — ZnO —TiO 2 . Согласно результатам исследования [2, 3], 394