Труды КНЦ вып.3 (ХИМИЯ И МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ) вып. 1/2019(10))

температуры процесса осаждения с 20 до 80 ° С удельная поверхность SiO 2 резко падает. Рост частиц при гидротермальной обработке происходит за счет ускорения реакции полимеризации и увеличения растворимости SiO 2 [1, 2]. Таблица 2 Влияние температуры на удельную повехность частиц SiO 2 , полученных из жидкого натриевого стекла Table 2 The effect of temperature on the specific surface area of SiO 2 particles obtained from liquid sodium glass Температура, ° С 20 30 40 60 80 О зЮ 2 маточный р-р , г/л 0,15 0,14 0,17 0,27 0,31 5 уд. , м 2 /г 385,72 286,16 149,35 135,08 79,50 Исследование зависимости удельной поверхности частиц SiO 2 от времени старения показало, что удельная поверхность уменьшается с увеличением времени выдержки гидрогеля в маточноем растворе (табл. 3). Изменение . S /д. приосходит из-за сближения первичных глобул в агрегатах (физическое старение) и превращения агрегатов глобул во вторичные частицы за счет конденсации поверхностных ОН-групп первичных частиц с образованием силоксановых связей и отщеплением воды (химическое старение) [3]. Таблица 3 Влияние продолжительности старения на удельную поверхность частиц SiO 2 из жидкого натриевого стекла Table 3 The effect of aging on the specific surface area of SiO 2 particles from liquid sodium glass Продолжительность старения 2 часа 1 день 2 дня 3 дня 5 уд. , м 2 /г 382,7 236,1 140,7 101,3 Примечание. Условия эксперимента: раствор II ( C SiO исх . = 40,0 г/л); рН = 7; С н = 35 %). Проведены ИК-спектрометрические исследования образцов с различной удельной поверхностью (рис. 2, А и В ). В области 3300-3700 см -1 наряду с валентными колебаниями адсорбированной воды проявляется группа сигналов, соответствующих колебаниям различных силанольных групп и обертона деформационных колебаний воды. В спектральном диапазоне 1000-1250 см -1 наблюдается глубокая полоса поглощения с минимумом пропускания в интервале 1085-1093 см -1 и слабым плечом в области 1185-1189 см -1 , связанная с продольными, поперечными и смешанными колебаниями Si - O - Si -связей. Интенсивность ИК-полос и положение двух основных полос при 1085-1093 и 3440-3480 см -1 , характерных для различных форм аморфного кремнезема. Пик поглощения в области 957-964 см -1 соответствует колебаниям связей Si - OH. Полосы в интервалах 799-801 и 467-469 см -1 соответствуют валентным асимметричным колебаниям мостикового кислорода Si - O - Si и валентным 372