Труды Кольского научного ценра РАН. № 5, вып.18. 2019 г.

Электрическое поле ГЭД с силой тока I на поверхности однородного полупространства с удельным сопротивлением р можно записать как: d E ( I ,d s ,p ,r ,Q ) = I-ds ■ р 2 л - г 3 '^ ( ѳ у еу т е М ( 1 ) Здесь электрические числа ех, еу, е: определяются углом Ѳмежду осью диполя . и радиус-вектором R на точку наблюдений: ex(0) = 3cos20 - 2 ; еу (в)= 3 c o s0 -s in 0 ; ez( e ) = - ^ - c o s 9 . Для магнитного поля ГЭД можно записать: " К(Ъ) ' А„(Ѳ) К ( ѳ , г ) ( 2 ) ( 3 ) (4) dH ( I , d s , p , r ,Q ) = I - d s X 271-г 3 2 п - уі 2 Здесь магнитные числа зависят от угла Ѳ: hx (d) = -3 c o s0 -sin0 ; hy (в) = _ (l - 3sin 2ѳ), (5) ( 6 ) (7) а вертикальное магнитное число, кроме угла Ѳ, еще и от отношения длины волны X к расстоянию г = \R\: hz(Q,r) = 3smQ-X/(2n-j2-r), (8) где X = . Проекция вектора поля F = dE или F = dH на направление вдоль датчика поля, задаваемое единичным вектором е/. определяется скалярным произведением dEei. В локальной системе источника ds вектор еі представлен вектором: e f s = Ro t (—(pds) eh (9) где ф‘/ѵ— угол между осью диполя ds и направлением е/. Здесь Rot(a) — матрица поворота вокруг вертикальной оси: cos(a) sin (a ) О R o t ( a ) = - s i n ( a ) cos(a) 0 . (10) 0 0 1 Кажущееся сопротивление для измеренных электрических компонент Е поля ГЭД определялось выражением: Рш Е ~ K vE(ds, г,Ѳ)Е ( 11 ) 28