Труды Кольского научного ценра РАН. № 5, вып.18. 2019 г.

Для ориентировочного определения минимального количества витков, при котором дроссель не входил бы в насыщение при приложении к нему разности напряжений ГИН и ГИТ, были использованы упрощённые выражения для расчёта потокосцепления дросселя: UAt = ДФ = M’ABS, (1) UAt w = ------- , ( 2 ) ABS где U — напряжение, приложенное к дросселю; At — необходимое время задержки насыщения магнитопровода; АВ — изменение магнитной индукции дросселя; S — площадь поперечного сечения магнитопровода. Для определения необходимого времени задержки насыщения дросселя были проведены опыты по пробою водного промежутка одиночным ГИН без подключения ГИТ к контуру. Исходя из осциллограмм, было выяснено, что при данной конфигурации схемы пробой водного промежутка происходит через 0 , 1 - 0,5 мкс после коммутации ГИН (рис. 3). и, кВ 160 1 Т. 0 > - І 120 6 80 4 40 2 0 -о -40 - 2 -80 л -120 - 6 -160 -“о л іД г 1 г \ г\ л V \Г{ V \ \ / \у \ кл} \J \J \ J 1 V t, 9 мкс Рис. 3. Осциллограммы тока и напряжения в нагрузке при разряде одиночного ГИН Fig. 3. Load current and voltage waveforms during a discharge o f the single HVPG Затем на основе приведённых выше уравнений рассчитывалось минимальное количество витков магнитного ключа. Напряжение на дросселе после срабатывания ГИН составляло примерно 80 кВ. Величина изменения индукции АВ заменялась на индукцию насыщения Bs дросселей. Для дросселя с магнитопроводом из распылённого железа критическое количество витков оказалось равным 17, из аморфного сплава — 2 2 . Для подтверждения правильности оценки были проведены опыты, в которых дроссель на магнитопроводе из распыленного железа наматывался 99