Труды КНЦ вып.9 (ХИМИЯ И МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ вып. 6/2018(9))

Рис. Принципиальная схема экспериментальной установки для определения интенсивности и угла рассеянного излучения Обработка результатов и выводы Итоговое значение величин напряжённости фотовольтаического и диффузионного полей определялись по формулам, представленным в работе [6], и сведены в таблицу. Показатели преломления необыкновенного и обыкновенного лучей, необходимые для проведения расчётов по работе [6], определялись из эмпирических уравнений, приведенных в [7]. Таблица 1 Значения напряжённости фотовольтаического и диффузионного полей для разных кристаллов при 476,5, 488, 514,5 и 532 нм № Кристалл 476,5 нм 488нм 514,5нм 532нм Еръ кВ/см E d , кВ/см Epv, кВ/см E d , кВ/см Epv, кВ/см E d , кВ/см Epv, кВ/см E d , кВ/см 1 LiNbO3конг. 4,326 0,249 3,549 0,198 6,232 0,810 5,003 0,052 2 LiNbO3:Er [3,1мас.%] 4,295 0,169 3,761 0,047 7,906 0,295 5,515 0,289 3 LiNbO3:B[0,08мас.%] 3,914 1,118 5,259 0,550 10,030 0,477 5,46 0,572 4 LiNbO3:Gd [0,002мас.%]:Mg [0,4мас.%] 5,089 0,253 4,530 0,224 6,391 0,651 6,139 0,282 5 LiNbO3:Gd [0,05мас.%] 7,224 1,318 4,903 0,015 8,054 1,308 5,613 0,712 6 LiNbO3:Y[0,46мас.%] 6,405 0,736 4,934 0,574 11,010 0,577 10,2 0,597 7 LiNbO3:Zn [2,93мас.%] 4,611 0,390 3,686 0,285 7,721 0,480 6,885 0,228 8 LiNbO3:Zn [0,018мас.%] 6,531 0,951 4,421 0,308 4,819 1,257 2,909 0,278 9 LiNbO3:Cu [0,007мас.%]^ [0,02мас.%] 5,258 0,370 4,697 0,274 10,030 0,477 5,848 0,064 10 LNbO3стех. 3,907 0,923 2,979 0,895 6,855 2,508 4,055 1,749 Таким образом, по параметрам индикатрисы рассеянного излучения была проведена количественная оценка напряженностей фотовольтаического и диффузионного полей в фоторефрактивных монокристаллах ниобата лития разного состава при разных длинах волн возбуждающего излучения. Показано, что наименьшим значением фотовольтаического поля (при 476,5 и 488 нм), определяющего итоговое значение показателя преломления кристалла, характеризуется кристалл стехиометрического состава. При увеличении длины (514,5 и 532 нм) волны возбуждающего излучения наименьшим значением фотовольтаического поля обладает кристалл LiNbO3:Zn [0,018 мас.%]. 88