Труды КНЦ вып.9 (ХИМИЯ И МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ вып. 1/2018(9) Часть 2)

Рис. 1. ДТА образца хризотила Рис. 2. Дифрактограммы термообработанного образца хризотила На кривой ДТА (DTA) хризотила регистрируется два эффекта — эндотермический эффект в области температур 600-650 °С и ярко выраженный интенсивный экзотермический пик выше 800 °С (рис. 1). Эндотермический эффект начинается при температуре 550-600 °С и сопровождается потерей массы, которая продолжается вплоть до температуры 750 °C, о чем свидетельствует ход термогравиметрической кривой (TG) (рис. 1). Как правило, он является результатом наложения как эндотермических процессов дегидроксилации, дегидратации и разрыва Si-O(Si)-связей, так и экзотермических процессов гидратации, а в некоторых случаях и образования основной части низкотемпературного форстерита Mg2SiO4. (Форстерит, образованный при таких относительно низких температурах (до 750 °C), условно называется низкотемпературным, а формирующийся при более высоких температурах (810-830 °C) — высокотемпературным). Согласно результатам ДТА процесс дегидроксилации, инициирующий разрыв Si-O(Si)-связей и приводящий к образованию изолированных орто- [SiO4]4-, ди- [Si2O7]6-, три- [Si3Oi0]8- и других силикатных анионов, в данном хризотиле начинается в области 550­ 600, а заканчивается около 700-750 °C. Вышесказанное подтверждается и результатами химического анализа (табл. 1). В растворе концентрации основных соединений, извлекаемых из термообработанных образцов, в особенности SiO2 в виде растворимых кремниевых кислот, начинают увеличиваться при 600 °С и достигают максимальных значений при 700 °C (табл. 2). Выдержка образца при 800 °C и выше приводит к резкому снижению выходов выщелачиваемых компонентов (табл. 2). РФА также показывает, что кристаллическая структура данного образца хризотила, не претерпевающая никаких изменений при нагреве до 500 °C, начинает терять свою кристалличность при 600 °C и полностью переходит в аморфное состояние при 725 °C, а дальнейший нагрев до 800 °С приводит к образованию форстерита (Card № 85-1362) Mg2SiO4 (рис.2 ). Итак, полное разрушение силикатного слоя данного серпентина имеет место при термообработке до 700-725 °C. 854