Труды КНЦ вып.9 (ХИМИЯ И МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ вып. 1/2018(9) Часть 2)

Согласно рисунку 1 для состава SiC —3 % B величина кажущейся плотности увеличивается во всём исследуемом временном интервале от 6 до 25 мин выдержки и достигает значения 3,01 г/см3. Для материалов состава SiC — 5 % B величина кажущейся плотности увеличивается с 6 до 15 мин выдержки и выходит на постоянное значение (3,12 г/см3). Для материалов составов SiC — 7 % B, SiC — 10 % B время выдержки в интервале от 6 до 25 мин не приводит к изменению кажущейся плотности (3,08 г/см 3 для состава SiC — 7 % B и 3,03 г/см 3 для состава SiC — 10 % B). Из данных по открытой пористости (рис. 2) следует, что для материалов составов SiC— 7 % B и SiC— 10 % B, полученных из прекурсоров шихты SiC-B, во всём временном интервале выдержки при температуре обжига 1850 °С удаётся достичь нулевой открытой пористости. Для материалов состава SiC — 5 % B нулевой открытой пористости достигается при 10 мин выдержки. Для состава SiC —3 % B при 25 мин выдержки открытая пористость составляет —0,5 %. Величина прочности при изгибе для состава SiC - - 3 % B монотонно увеличивается и достигает —220 МПа, что связано с уменьшением открытой пористости и уплотнением материала. Величина прочности при изгибе для состава SiC — 5 % B увеличивается до 15 мин выдержки и выходит на постоянное значение, что связано с достижением при 1 0 мин выдержки нулевой открытой пористости и выходом на плато значения кажущейся плотности при 15 мин выдержки. При 10 мин выдержки значения прочности при изгибе для составов SiC — 7 % B и SiC — 10 % B выходят на постоянное значение и составляют —400 МПа и —280 МПа соответственно. Стоит заметить, что для составов SiC — 7 % B и SiC — 10 % B увеличение времени выдержки не приводит к уменьшению прочности получаемых материалов, что может косвенно свидетельствовать о перспективности данных материалов для работы в области высоких температур длительный срок. В исследуемом интервале концентраций бора (от 3 до 10 мас. %) материал с нулевой открытой пористостью удалось получить при содержании бора 7 и 10 мас. % во всём исследуемом интервале времени выдержки (от 6 до 25 мин), а для состава, содержащего в прекурсоре 5 мас. % бора, — при 10 мин выдержки. Плотность материалов, содержащих добавку бора в количестве 7 и 10 мас. %, после 10 мин выдержки при температуре обжига 1850 °С сохраняла постоянное значение (3,08 и 3,03 г/см 3 соответственно). Наибольшей прочностью обладал материал, полученный из прекурсора, содержащего 7 мас. % бора, и составила —400 Мпа. Литература 1. Керамика для машиностроения / А. П. Гаршин и др. М. :Научтехлитиздат, 2003. 380 с., ил. 2. Stobierski L., Gubernat A. Sintering of silicon carbide II. Effect of boron // Ceramics International. 2003. No. 29. P. 355-361. 3. Карбид кремния: технология, свойства, применение / О. А. Агеев и др.; под общ. ред. член-корр. НАНУ, д. ф.-м. н., проф. А. Е. Беляева и д. т. н., проф. Р. В. Конаковой. Харьков: ИСМА, 2010. 532 с. 4. Biswas K. Solid state sintering of SiC-ceramics // Materials Science Forum. 2009. Vol. 624. P. 71-89. Сведенья об авторах Феоктистов Алексей Владимирович аспирант, Российский химико-технологический университет им. Д. И. Менделеева, г. Москва, Россия alvlfeoktistov@gmail. com Попова Нелля Александровна старший преподаватель, Российский химико-технологический университет им. Д. И. Менделеева, г. Москва, России popova@muctr.ru FeoktistovAlekseyVladimirovich Graduate Student, D. I. Mendeleev University of Chemical Technology of Russia, Moscow, Russia alvlfeoktistov@gmail.com PopovaNellyaAleksandrovna Senior Lecturer, D. I. Mendeleev University of Chemical Technology of Russia, Moscow, Russia popova@muctr.ru DOI: 10.25702/KSC.2307-5252.2018.9.1.774-779 УДК 666.266.6 ИССЛЕДОВАНИЕ ОБРАЗОВАНИЯ «КОЛЛОИДНОГО КОМПОНЕНТА» В ПРОЦЕССЕ ПРИГОТОВЛЕНИЯ ШЛИКЕРА НА ОСНОВЕ КВАРЦЕВОГО СТЕКЛА Д. В. Харитонов1,2, А. А. Анашкина12, М. С. Моторнова12, Н. А. Макаров1 1Российский химико-технологический университет им. Д. И. Менделеева, г. Москва, Россия 2АО «Обнинское научно-производственное предприятие «Технология» им. А. Г. Ромашина», г. Обнинск, Россия 774

RkJQdWJsaXNoZXIy MTUzNzYz