Труды КНЦ вып.9 (ХИМИЯ И МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ вып. 1/2018(9) Часть 2)
измерительного устройства. Амплитуда модуляции пропорциональна мнимой части магнитной восприимчивости исследуемого вещества (А ~ %"), поэтому ход зависимости А = f T ) эквивалентен ходу температурной зависимости восприимчивости %"(Т). В таблице приведены температурные зависимости мнимой части магнитной восприимчивости 1"(Т) образцов системы BixLai-xMnO 3 (x = 0,0, 0,025, 0,05, 0,075, 0,1), синтезированных золь-гель методом, при трех частотах модуляции: 192, 333 и 970 Гц. Результаты исследования микроструктуры и магнитных свойств образцов BixLa 1 -xMnO 3 (0,0 < х < 0,1), синтезированных золь-гель методом [5] Примечание. Морфология поверхности излома образцов; средний размер зерна й?ср; температурные зависимости мнимой части магнитной восприимчивости %"(Т) образцов при трех частотах модуляции (амплитуда модулирующего поля 10 Э). Обсуждение результатов и выводы Эволюцию микроструктуры образцов, синтезированных при одинаковой температуре, с ростом степени легирования висмутом можно объяснить следующим образом. Рост гранул при спекании нанопорошков обусловлен главным образом объемной ионной диффузией ионов Bi3+. Спекание в одинаковых условиях приводит к тому, что составы с большим содержанием висмута имеют более низкую температуру рекристаллизации (в том числе и благодаря более низкой температуре плавления), а диффузионный процесс и процесс укрупнения гранул в них являются термически активированными. При одинаковой валентности висмута и лантана (+3) и близости величин их ионных радиусов (r(Bi3+) = 1,24 А и r(La3+) = 1 ,2 2 А) строение их внешних электронных оболочек существенно различаются. В отличие от иона La3+, ион Bi3+ имеет на внешней электронной оболочке стереохимически активную изолированную пару 6 ^ 2 -электронов, вследствие чего при замещении лантана висмутом может происходить смещение А-катионов вдоль направления <111> кубической ячейки [ 8 ]. Эти смещения приводят к дополнительным искажениям кристаллической решетки LaMnO3, характерным для BiMnO3, а величина коэффициента диффузии, как показано в [9], для тел с искаженной кристаллической решеткой в 10 2 -10 3 раз больше величины этого коэффициента для тел с идеальной кристаллической решеткой. Смещение ионов Bi3+ вдоль диагонали <111> кубической перовскитной ячейки [ 8 ] неизбежно должно приводить к смещениям ближайших анионов — ионов кислорода. Возникающие при этом напряжения компенсируются волной последующих смещений ионов, захватывающей несколько координационных сфер. 745
Made with FlippingBook
RkJQdWJsaXNoZXIy MTUzNzYz