Труды КНЦ вып.9 (ХИМИЯ И МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ вып. 1/2018(9) Часть 2)

0,0020 0,0018 - 0,0016 ti ^ 0,0014 <c s 0 ,0 0 1 2 5 0 ,0 0 1 0 w 0,0008 О H 0,0006 0,0004 0 Рис. 4. Ток утечки в анодах до и после обработки в парах H3P 0 4. Удельная поверхность исходных порошков, м2-г-1: 1 — 2; 2 — 4. Аноды: 1, 2 — до обработки; 1к, 2к — после обработки H 3 PO 4 Из приведенных данных видно, что после обработки в парах Н3Р 0 4ток утечки значительно снизился. Как и при других видах обработки, изменения удельного заряда находятся в пределах погрешности измерения. Таким образом, для снижения тока утечки могут быть рекомендованы 2 способа обработки заформованных анодов — термостабилизация в парах Н3Р 0 4 при 300 °С и обработка методом погружения в 5-10 %-й раствор HF с последующим реанодированием. Оба способа были эффективны как в случае анодов с удельным зарядом на уровне 50000 мкКлг-1, так и в случае анодов с удельным зарядом на уровне 100 000 мкКлг-1. После обработки в парах H 3 PO 4 ток утечки снижался на 20-38 %, а после выдержки в 10 %-м растворе HF — на 28-40 %. Литература 1. Влияние условий получения танталовых конденсаторных порошков на тангенс угла диэлектрических потерь анодов / Т. Ю. Прохорова и др. // Неорганические материалы. 2014. Т. 50, № 2. С. 161-165. 2. Gavigliasso G. E., Esplandiu M. J., Macagno V. A. Influence of the forming electrolyte on the electrical properties of tantalum and niobium oxide films: an EIS comparative study // Journal of Applied Electrochemistry. 1998. No. 28. Р. 1213-1219. 3. Физика тонких плёнок. Т. 6. Современное состояние исследований и технические применения / gод ред. М. Х. Франкомба, Р. У. Гофмана. М.: Мир, 1973. 392 с. 4. Пат. 2543486 Рос. Федерация, МПК H 01 G 9/04, H 01 G 9/052, 9/00 (2006.01). Способ получения электролитических конденсаторов, имеющих низкий ток утечки / Карабулут Х., Меркер У., Ройтер К., Пассинг Г.; Х. К. Штарк ГмбХ (DE). № 2010154382/07; заявл. 13.05.2009; опубл. 10.03.2015, Бюл. № 7. 5. Орлов В. М., Прохорова Т. Ю. Исследование термической обработки магниетермических порошков тантала и ниобия // Металлы. 2017. № 6. С. 3-10. 6. Microstructure and dielectric properties of nanoscale oxide layers on sintered capacitor-grade niobium and V-doped niobium powder compacts / H. Stormer et al. // Int. J. Mat. Res. 2006. Vol. 97, no. 6. P. 794-801. Сведения об авторах Прохорова Татьяна Юрьевна кандидат технических наук, Институт химии и технологии редких элементов и минерального сырья им. И. В. Тананаева ФИЦ КНЦ РАН, г. Апатиты, Россия tantal@chemy.kolasc.net.ru Орлов Вениамин Моисеевич доктор технических наук, Институт химии и технологии редких элементов и минерального сырья им. И. В. Тананаева ФИЦ КНЦ РАН, г. Апатиты, Россия orlov@chemy.kolasc.net.ru Prokhorova Tatiana Yurievna PhD (Engineering), I. V. Tananaev Institute of Chemistry and Technology of Rare Elements and Mineral RawMaterials of the Federal Research Centre “Kola Science Centre of the Russian Academy of Sciences”, Apatity, Russia tantal@chemy.kolasc.net.ru Orlov Veniamin Moiseevich Dr. Sc. (Engineering), I. V. Tananaev Institute of Chemistry and Technology of Rare Elements andMineral RawMaterials of the Federal Research Centre “Kola Science Centre of the Russian Academy of Sciences”, Apatity, Russia orlov@chemy.kolasc.net.ru 720