Труды КНЦ вып.9 (ХИМИЯ И МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ вып. 1/2018(9) Часть 2)

(рис. 2). Этот уровень освещенности соответствует пятну выхода на внешнюю грань кристалла непосредственно лазерного луча, чья мощность не рассеялась полностью за толщину кристалла (в этой геометрии эксперимента 4-5 мм). а б а б С [Zn] = 2.05 м ас. % С [Zn] = 0.52 мас. % Рис. 2. Картины кругового рассеяния света кристалла LiNbO 3 : Zn (2,05 мас. %) и ФИРС кристалла LiNbO 3 : Zn (0,52 мас. %): а — изображения в оттенках серого, красным выделены области, соответствующие слоям на рис. 1 ; б — разделенные на шесть уровней освещенности для последующего фрактального анализа изображения, синим выделены области соответствующего слоя. Х 0 = 530 нм, Р = 110 мВт, t = 240 с На рисунке 2, б показаны уровни освещенности, выделенные по методике в [4, 5] для последующего фрактального анализа. Видно, что уровни освещенности, которые соответствуют различной динамике распределения оттенков серого на картинах фотоиндуцированного и кругового рассеяния света (рис. 1 , а), достаточно хорошо совпадают с уровнями, которые подвергались фрактальному анализу. Таким образом, подтверждается наличие 6 областей освещенности на картинах ФИРС. Кроме того, рис. 1 и 2 хорошо показывают, что картины кругового рассеяния света разделяются на те же области освещенности. Их границы совпадают с границами для ФИРС, несмотря на то что динамика распределения оттенков серого кругового рассеяния немного отличается от динамики, наблюдающейся для ФИРС. Выводы На картинах ФИРС кристаллов LiNbO 3 : Zn (0,018-0,88 мас. %) было выявлено 6 областей освещенности, в которых динамика зависимости количества пикселей от их уровня освещенности (оттенка серого) совпадает для разных кристаллов. Выявлено, что эта динамика для фотоиндуцированного и кругового рассеяния, которое возбуждается в кристалле LiNbO 3 : Zn (2,05 мас. %), совпадает, и в круговом рассеянии света присутствуют такие же области освещенности. Литература 1. Ниобат лития: дефекты, фоторефракция, колебательный спектр, поляритоны / Н.В. Сидоров и др. М.: Наука, 2003. 256 с. 676

RkJQdWJsaXNoZXIy MTUzNzYz