Труды КНЦ вып.9 (ХИМИЯ И МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ вып. 1/2018(9) Часть 2)
электропроводности объёма образца, видно, что с уменьшением размера зерен керамики электропроводность керамических образцов незначительно увеличивается и начинает определяться не объемом, а границами зерен (рис. 3 и табл. 2). Образец № 2 несколько выбивается из этого ряда, поскольку обладает более высокой электропроводностью, чем образцы № 1, 3 и 4 (рис. 3). Таблица 2 Значения энтальпии активации носителей заряда На, транспортной энтальпии Нт и энтальпии образования дефектов по Френкелю НР Образец, № На, Эв Нm, Эв НР, Эв 1 1,04 0,99 0 ,1 2 0,85 0 ,8 0 ,1 3 0 ,8 8 0,81 0,14 4 0,9 0,78 0,24 Кроме того, из анализа диаграмм комплексного импеданса были определены значения наиболее вероятных времён релаксации т. Анализ зависимостей т (Т) позволил установить в соответствии с законом Аррениуса значения транспортной энтальпии Нт. С использованием установленных значений На и Нт возможно найти энтальпии образования дефектов по Френкелю НР: На = Hm + 1/2H f . Результаты вычислений приведены в табл. 2. Была также изучена дисперсия комплексной диэлектрической проницаемости, температурная зависимость реальной части которой представлена на рис. 4. Из графика видно, что заметная дисперсия диэлектрической проницаемости керамики НЛ наблюдается только при температурах выше 600 K. Резкий рост реальной части диэлектрической проницаемости в области низких частот (100 Гц) начинается лишь при температурах выше ~ 700 K. г в Рис. 4. Температурные зависимости реальной части диэлектрической проницаемости керамических образцов LiNbO 3 : а — образец № 1; б —№ 2; в — № 3; г — № 4 Установлены существенные различия в мезо- и микроструктуре полученных образцов керамики НЛ, что показано на рис. 5. Керамика НЛ, полученная из исходного порошка (образец № 1), имеет крайне неоднородную структуру, в ней присутствуют как крупные зерна свыше ~ 40 мкм, так и кристаллиты около 2 мкм, по границам крупных зерен достаточно большое количество трещин и пустот (рис. 5, а). 615
Made with FlippingBook
RkJQdWJsaXNoZXIy MTUzNzYz