Труды КНЦ вып.9 (ХИМИЯ И МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ вып. 1/2018(9) Часть 2)

Температура обжига, °С 3 мас. % 3 мас. % БР 5 мас. % 5 мас. % БР б а Рис. 3. Влияние температуры обжига на среднюю плотность (а) и открытую пористость (б) образцов Результаты сканирующей электронной микроскопии для образцов, содержащих заранее синтезированный модификатор в количестве 5,0 мас. % и полученных при температуре 950 °С, представлены на рис. 4. Основная фаза представлена зернами различной, в основном неправильной, формы. Структура материала неравномерно зернистая. Размер зерен матрицы изменяется от 7 до 40 мкм в длину и от 5 до 30 мкм в ширину. Большинство зерен не имеет четких кристаллографических границ, что свидетельствует о растворении основной фазы в добавке. Фаза добавки приурочена к зернам основной фазы и расположена по ее границам в виде тонких прослоек. Толщина прослоек добавки составляет от менее 1 до 2 мкм. В крупных кристаллах наблюдаются отдельные закрытые внутрикристаллические поры округлой формы размером 5-6 мкм. Материал содержит единичные скопления фаз добавки, размер частиц которых не превышает 1 мкм. Рис. 4. Микроструктура образцов состава, полученного при температуре обжига 950 °С и содержащего модификатор в количестве 5,0 мас. % У разработанных материалов определяли такие диэлектрические свойства, как фактор диэлектрической добротности Q х f а также диэлектрическую проницаемость е. Измерение указанных свойств производили при частоте 1 МГц. Во всем интервале температур фактор диэлектрической добротности Q х f возрастает в диапазоне от 87 • 10 6 до 407 • 10 6 Гц. Наибольший фактор диэлектрической добротности Q х f наблюдается при температуре обжига 950 °С у состава с добавкой, полученной при расплавлении с последующей закалкой, и составляет 407 • 10 6 Гц (рис. 5, а). 573