Труды Кольского научного ценра РАН. № 8, вып.17. 2018 г.

производители по ряду причин [10] занижают значение напряжения пробоя сток- исток BV DSS . В таком случае необходимо при расчетах использовать, так называемое, эффективное значение BV EFF ., которое, при отсутствии другой информации, можно принимать как 1.3 BV DSS . Так как для одиночного импульса тока постоянная времени теплоотвода много больше постоянной времени кристалла, то применение дополнительных теплоотводов (радиаторов) не приводит к снижению температуры кристалла при однократном лавинном процессе. Для повышения лавинной устойчивости к однократному лавинному пробою в конкретном применении целесообразно либо выбрать другой тип MOSFET-ключа, либо использовать тот же транзистор, но с другим типом корпуса, обладающим меньшим тепловым сопротивлением кристалл-корпус. Рассмотренная схема генератора импульсов тока с дросселем в качестве индуктивного накопителя энергии и MOSFET-ключей STF9NK90Z в качестве коммутаторов тока была использована при разработке и создании измерительного комплекса для определения стационарного сопротивления заземляющих устройств импульсным методом. Опытный образец комплекса прошел успешные стендовые и полевые испытания. Разработанный генератор позволил обеспечить надежную работу комплекса как при значительном сопротивлении токового контура — 1-4 кОм, так и в случае обрыва проводника линии с током. Литература 1. Данилин А. Н., Колобов В. В., Селиванов В. Н., Прокопчук П. И. Методика импульсных измерений сопротивления растеканию заземлителей опор высоковольтных линий электропередачи под грозозащитным тросом // Технико-экономические и электрофизические проблемы развития энергетики Севера. Апатиты: Изд. Кольского научного центра РАН, 2007. С. 79-85. 2. Колобов В. В., Баранник М. Б., Селиванов В. Н. Новый прибор для измерения сопротивления заземляющих устройств опор ВЛ импульсным методом // Труды Кольского научного центра РАН. 2016. № 13. С. 38-54. 3. Колобов В. В., Баранник М. Б., Селиванов В. Н., Куклин Д. В. Источник тока с индуктивным накопителем энергии для измерения импульсных сопротивлений заземляющих устройств // Приборы и техника эксперимента. 2014. № 5. С. 61-67. 5. Колобов В. В., Баранник М. Б., Селиванов В. Н., Прокопчук П. И. Результаты полевых испытаний нового прибора для измерения сопротивления заземляющих устройств опор воздушных линий электропередачи импульсным методом // Труды Кольского научного центра РАН. 2017. № 14. С. 13-28. 6. Lindblom A. Inductive pulse generation. Doctoral Thesis. Uppsala University. 2006. URL: http://www.diva-portal.org/smash/get/diva2:167979/fulltext01.pdf (дата обращения: 01.10.2018). 7. N-channel 900 V, 1.1 Q, 8 A, TO-220, TO-220FP, D2PAK, TO-247 Zener- protected SuperMESHTMPower MOSFET. URL: https://www.st.com/resource/en/ datasheet/stp9nk90z.pdf. (дата обращения: 05.10.2018). 8. Andrew Berry et al. The Power MOSFET Application Handbook: Design Engineer's Guide. NXP Semiconductors. Engineering design, 2016. 315p. 96