Труды Кольского научного ценра РАН. № 8, вып.17. 2018 г.

Как видно из таблицы геометрические размеры заземлителей оказывают большое влияние на величину как стационарного, так и импульсного сопротивления заземлителей. Увеличение неоднородности электрического поля на поверхности электрода приводит к тому, что при одинаковой площади поверхности и равных амплитудах импульсов напряжения наименьшее импульсное сопротивление — 280 Ом имеет стержневой заземлитель, а наибольшее полусфера — 1100 Ом. Импульсное сопротивление трубы лежит между этими значениями и составляет 540 Ом. Таким образом, величина импульсного сопротивления может уменьшаться почти в 4 раза только путем изменения формы заземлителя за счет локального увеличения напряженности электрического поля на поверхности электрода, что приводит к образованию множественных искровых каналов. Во второй серии экспериментов измерялось импульсное сопротивление заземлителей с разным количеством лучей, но одинаковой общей длиной при воздействии импульсов амплитудой 210 кВ и 360 кВ. В таблице 2 приведены измеренные значения импульсных сопротивлений заземлителей. Таблица 2 Значения импульсного сопротивления заземлителей, состоящих из разного количество лучей Impulse resistance of grounding consisting of different number of electrodes Импульсное напряжение ГИН (кВ) Число лучей 2 3 4 210 кВ 120 125 130 360 кВ 100 105 115 На рисунке 3 представлена зависимость импульсного сопротивления заземлителя от количества лучей, из которых он состоит. Как видно из рисунка за счет взаимного экранирования с ростом числа лучей общее сопротивление заземлителя возрастает. Рис. 3. Зависимость импульсного сопротивления заземлителя от количества лучей Fig. 3. The dependence of impulse resistance of grounding consisting of different number of electrodes 125