Труды КНЦ вып.8 (ХИМИЯ И МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ вып. 5/2017(8))

Рисунок 4. Разделение картин ФИРС кристаллов L iNb03стех и LiNb 0 3 стехК 2 0 под воздействием лазерного излучения мощностью P=35, 160 мВт на 240 секунде облучения на слои согласно выводам, сделанным по рис. 3. Самое яркое пятно в центре, обозначенное как 1’ является местом выходом на переднюю грань кристалла нерассеянной мощности лазерного луча. Слой 1” является первым слоем непосредственно рассеянного излучения, то есть первым слоем ФИРС. Уровни освещенности 2 и 3 на рис. 4 соответствуют второму и третьему слоям ФИРС. Уровень освещенности 4 - это тот объем кристалла, который освещается третьим слоем ФИРС, однако в нем недостаточно энергии для возбуждения даже флуктуирующих лазерно-индуцированных дефектов. Этот уровень освещенности не несет полезной информации, поэтому он не обрабатывается при анализе картин ФИРС. Уровень освещенности 5 соответствует неосвещенному (темному) краю картины ФИРС. Таким образом, для дальнейшего анализа картин ФИРС с целью выделения слоев ФИРС следует выбирать 4 самые яркие слоя: 1’, 1”, 2, 3. Выводы С помощью статистического анализа переведенных в режим оттенков серого картин ФИРС кристаллов L iNb03стех и LiNb 0 3 стехК 2 0 под воздействием лазерного излучения мощностью P=35, 160 мВт доказано наличие 4 слоев, которые несут информацию о динамике поведения лазерного луча и трех слоев ФИРС в процессе облучения кристаллов лазерным излучением. Определены границы этих слоев для дальнейшего их анализа. Благодарности Автор выражает признательность зав. 25 лаборатории ИХТРЭМС КНЦ РАН Палатникову М.Н. и зав. сектором колебательной спектроскопии ИХТРЭМС КНЦ РАН Сидорову Н.В. 93