Труды КНЦ вып.8 (ХИМИЯ И МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ вып. 5/2017(8))

под воздействием лазерного луча мощностью 160 мВт в области 3 наблюдается плавное повышение количества пикселей соответствующих уровней освещенности. Тогда как в обоих кристаллах под воздействием лазерного излучения мощностью 35 мВт в области 3 наблюдается максимум. У кристалла Ьі№О3стех максимум раскрывается в области более низких значений уровня освещенности, а у кристалла Ьі№О 3 стехК2О - в области более высоких значений. Рисунок 3. Зависимость количества пикселей ( N 103) от уровня освещенности (I) картин ФИРС кристаллов Ь і№ О 3стех и Ь і№ О 3 стехК2О под воздействием лазерного излучения мощностью P=35, 160 мВт на 240 секунде облучения. В области 4 на рис. 3 также наблюдается максимум для каждого случая. Для кристалла Ь і№ О 3стех под воздействием лазерного излучения 35 мВт этот максимум раскрывается ближе к высоким значениям N, тогда как под воздействием 160 мВт - ближе к низким значениям N. Тогда как у кристалла Ь і№ О 3 стехК2О под воздействием лазерного излучения как высокой, так и низкой мощности максимум в области 4 наблюдается примерно в центре участка, причем есть признаки того, что максимум может быть двойным. Область 5 во всех случаях на рис. 3 имеет большой максимум количества пикселей. На рис. 4 представлены области картин ФИРС, которые соответствуют выделенным участкам на рис. 3. Традиционно [2] самое яркое пятно в центре картины ФИРС принято называть первым слоем ФИРС. Однако из него выделился еще один уровень освещенности. Чтобы не нарушать принятую терминологию, эти два уровня освещенности названы как 1 ’ и 1 ” (а не 1 и 2 ). 92

RkJQdWJsaXNoZXIy MTUzNzYz