Труды КНЦ вып.8 (ХИМИЯ И МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ вып. 5/2017(8))

Рисунок 2. ФИРС в LiNb0 3 CTexK20 на 240 секунде облучения (P = 35 и 160 мВт); а - исходная цветная картина ФИРС, б - картина ФИРС в оттенках серого. 1, 2, 3 - первый, второй, третий слои ФИРС, соответственно. Заметно, что для LiNb03стех под действием излучения мощностью 160 мВт слой Ізаметно более тусклый (рис. 1), чем для того же кристалла под действием лазерного излучения меньшей мощности. Это объясняется полным рассеянием лазерного излучения в объеме кристалла данной толщины при образовании гораздо большего количества лазерно-индуцированных дефектов при повышенной мощности накачки. Анализ обесцвеченных картин ФИРС (рис. 1 б и 2 б) показал следующие результаты. На всех исследованных картинах ФИРС выделились 6 ярко выраженных слоев: 1’, 1”, 2, 3, 4, 5. Слой 1’ соответствует самой яркой области картины ФИРС. На рис. 3 для всех случаев, кроме кристалла L iNb03стех под воздействием лазерного излучения мощностью P=160 мВт в области, обозначенной 1’ наблюдается небольшой максимум. Для кристалла L iNb03стех под воздействием лазерного излучения мощностью P=160 мВт наблюдается, наоборот, понижение количества пикселей таких уровней освещения до значения 0. Данный результат коррелирует с результатами исследования картин ФИРС: на рис. 1 для кристалла L iNb03стех под воздействием лазерного излучения мощностью Р= 160 мВт наблюдается уменьшение количества самых ярких пикселей, что проявляется в общем в более тусклом центральном пятне. В области 1” на рис. 3 во всех случаях наблюдается плоское ровное плато с очень низким значением количества пикселей соответствующих уровней освещенности. Область 2 на рис. 3 характеризуется наличием двух ярко выраженных максимумов. Область 3 на рис. 3 различается в зависимости от интенсивности накачки. В обоих исследованных кристаллах 91

RkJQdWJsaXNoZXIy MTUzNzYz