Труды КНЦ вып.39 (ЭНЕРГЕТИКА вып. 5/2016(39))

5. При измерении сопротивления заземляющего устройства опоры с присоединенным грозозащитным тросом импульсным методом величина ZH3M с учетом волнового сопротивления линии грозотрос-поверхность земли Zwrr будет меньше истинной ZnrT. Так, для случая опоры с двумя присоединенными грозотросами (рис. 7) ZH3M будет определяться как: _ Ѵист ' 0- 5 • Z wrT) изм (у о с . у \ у^ист гт) В данном выражении не учтены волновые сопротивления опор Zw0п и сопротивления ЗУ опор Zv ZX-u так как на интервале обработки импульсов тока и напряжения (первые единицы микросекунд), отражения от этих элементов еще отсутствуют. Погрешность, вносимая волновыми сопротивлениями Zwn, будет расти с увеличением значения сопротивления ЗУ исследуемой опоры. Так, при сопротивлении ЗУ опоры, равном 200 Ом (предел диапазона измерения большинства приборов), она составит 50 %. Таким образом, при измерении сопротивления заземлителей опор, расположенных в районах с высоким удельным сопротивлением грунтов, результаты измерений необходимо корректировать с учетом выражения (3). В случае, когда опора соединена с одним или более чем с двумя грозотросами, выражение для ZH3M будет иметь другой вид. 6. В работах, исследующих взаимосвязь между импульсными и стационарными сопротивлениями ЗУ при различных проводимостях грунтов, в частности в [13], показано, что в грунтах с хорошей проводимостью величина импульсного сопротивления ЗУ больше установившегося значения (стационарного сопротивления), а в грунтах с плохой проводимостью, наоборот — импульсное сопротивление меньше чем стационарное. Это подтверждается экспериментами по исследованию сопротивлений ЗУ опор BJI, сооруженных на скалистых грунтах [14]. 7. Для повышения достоверности измерений необходимо, чтобы измерительный комплекс позволял визуально контролировать форму импульсов тока через ЗУ, напряжения на ЗУ и расчетную кривую мгновенного сопротивления Z(t). Основными методическими и техническими решениями, использованными при разработке нового генраторно-измерительного комплекса, явились: 1. Использование генератора импульсных токов (ГИТ) на основе индуктивного накопителя энергии с применением в качестве ключевых элементов высоковольтных MOSFEET транзисторов. Такой ГИТ позволяет формировать импульс тока через ЗУ с длительностью фронта, не превышающей 200 не, обеспечивает постоянство формы импульса в токовой линии независимо от ее согласования с заземляющим электродом и распределения волнового сопротивления вдоль нее. Индуктивный накопитель обладает значительно большей, по сравнению с емкостным накопителем, запасаемой удельной энергией, что позволяет при аналогичных массогабаритных параметрах генератора повысить энергию импульса тока и увеличить соотношение полезный сигнал/помеха на входе измерительной части комплекса, что, в свою очередь, делает возможным проведение измерений при размещении ЗУ и/или токового электрода в плохопроводящем грунте. Кроме того, ГИТ такого типа имеет внешнее управление, позволяет с точностью до единиц наносекунд синхронизировать момент запуска генератора и измерительной части комплекса, обеспечивает регулировку энергетических параметров выходного импульса тока. 47