Труды КНЦ вып.5 (ХИМИЯ И МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ вып. 5/2015(31))

Из рисунка 3 видно, что по сравнению с номинально чистым образцом кристалла LiNbO 3 образцы LiNbO3:Gd (0.26 мас. %), LiNbO3:Gd (0.43 мас. %), LiNbO3:Mg (0.27 мас. %) показывают наибольшую стойкость к оптическому повреждению. Оптическое пропускание под воздействием у-облучения в данных кристаллах практически не меняется. Для кристалла с двойным легированием LiNbO 3 :Y, Mg (0.32, 0.24 мас. %) (рис.4 (I)) наблюдается несколько большее значение изменения оптического пропускания (~25%) под воздействием ИИ, чем у номинально чистых и легированных Mg (0.27 мас. %) и Gd (0.26 и 0.43 мас. %) кристаллов НЛ. Наибольшее изменение оптического пропускания при у-облучении наблюдается для кристаллов LiNbO 3 :Gd. Причем оно максимально для кристаллов со сравнительно малыми концентрациями Gd (0.004 и 0.04 мас. %). Для образца LiNbO3:Gd (0.004 wt. %) ДТ% в широком диапазоне длин волн (380-720 нм.) варьируется от 13 до 35%, максимальные значения ДТ% приходятся на диапазон 380-520 нм. Образец LiNbO3:Gd (0.04 wt. %) характеризуется изменением ДТ% (35-37%) в интервале длин волн от 400 до 520 нм. 500 600 X, пin II 500 600 X,n m III I Рис. 4. Спектры оптического пропускания: I - LiNbO3:Y (0.46 wt.%), Mg (0.32, 0.24 wt. %); II; III - не облученных (a) и облученных (b) дозой облучения ~50 kGy Следует отметить, что для кристаллов LiNbO3:Gd со сравнительно малыми концентрациями Gd (0.004 и 0.04 мас. %), для которых характерно максимальное изменение оптического пропускания под действием ИИ, наблюдается также существенный сдвиг фундаментального края поглощения в область длинных волн по сравнению как с номинально чистым, так и с легированными кристаллами. Это свидетельствует об образовании значительного количества заряженных дефектов в структуре кристалла. Последнее, по-видимому, и определяет весьма высокую чувствительность оптических характеристик этих кристаллов к у-облучению. Исследованные дозные зависимости говорят о существенном изменении оптического пропускания кристаллов LiNbO3:Gd с малыми концентрациями Gd (0.004 и 0.04 мас. %) уже в области сравнительно малых доз у-излучения (1-160 Gy), когда зависимость оптического пропускания от дозы весьма близка к линейной (рис.5). При больших дозах происходит насыщение радиационной окраски, что может быть обусловлено радиационным отжигом дефектов. Так, изменение оптического пропускания кристалла LiNbO3:Gd ([Gd] = 0.04 мас. %) при облучении дозами у-излучения ~160 Gy и 5 10 4 kGy практически одинаково. 441

RkJQdWJsaXNoZXIy MTUzNzYz