Труды КНЦ вып.5 (ХИМИЯ И МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ вып. 5/2015(31))

На спектрах поглощения у-облученных образцов номинально чистых монокристаллов НЛ наблюдается широкая полоса поглощения при ~500 нм. Оптическая плотность в этой полосе возрастает с дозой облучения (рис.1). В длинноволновой области начиная примерно с 670 нм больше интенсивность поглощения необлученных образцов. Незначительное нагревание облученных монокристаллов приводит к уменьшению поглощения в полосе ~500 нм и его восстановлению в длинноволновой области спектра. На рис.2 представлены спектры поглощения одного и того же образца после облучения дозой 10 6 Gy (кривая 1), после отжига при 110°С в течение 40 мин (кривая 2), после отжига при 180°С (кривая 3) и до облучения (кривая 4). Причем спектральная область изменения характера поглощения на рис .2 соответствует такой области на рис. 1 , полученной для другого образца номинально чистого монокристалла НЛ. Обесцвечивание облученных монокристаллов ниобата лития происходит также при освещении интенсивным светом с длиной волны менее 480 нм. Результаты и их обсуждение Рис. 1. Спектры поглощения образцов НЛ: 1 - облученного дозой 1.24-10 2 - облученного дозой 1 0 Gy; необлученного НЛ после Gy; 3 - Рис.2. Спектры поглощения образцов облучения и термического отжига: 1 - облученного дозой 10 6 Gy; 2 - после отжига облученного образца при 100°С в течение 40 мин; 3 - после отжига облученного образца при 180°С в течение 40 мин; 4 - до облучения Исследование спектров оптического пропускания необлученных и у-облученных кристаллов НЛ различного состава (номинально чистых и легированных РЗЭ и ЩЗМЭ) показало, что радиационная стойкость кристаллов при у-облучении зависит как от типа легирующей добавки, так и от ее концентрации (рис.3 и 4). Легирование может значительно изменять свойства выращенных кристаллов. Соответственно, может меняется и их восприимчивость к воздействию ИИ (рис.3). III 500 л, п т IV Рис. 3. Спектры оптического пропускания: I - номинально чистого кристалла LiNbO3; II - LiNbO3:Mg (0.27 wt. %); III - LiNbO3:Gd (0.26 wt. %); I V - LiNbO3:Gd (0.43 wt. %) не облученных (a) и облученных (b) дозой облучения ~50 kGy 440