Жеребцов Г.А. Физические процессы в полярной ионосфере. Москва, 1988.

Можно видеть, что широтные профили электронной температуры зави­ сят от геомагнитного времени. Эта зависимость проявляется по-разному в спокойных и возмущенных условиях. В ночные часы широтный ход электронной температуры отражает широтный ход концентрации электро­ нов (и ионов) в ионосферном провале. В дневные часы средняя широта, на которой наблюдается максимум электронной температуры, меньше, чем широта, на которой имеет место минимум электронной концентра­ ции в ионосферном провале. Но ход максимумов электронной темпера­ туры в разные часы геомагнитного времени хорошо соответствует ходу линий конвекции плазмы [50]. Исследовалась также зависимость величины максимумов электронной температуры от геомагнитного времени отдельно для спокойных и возму­ щенных условий. Показано, что максимальные значения Те с амплитудой порядка 1000 К наблюдаются после полуночи, что совпадает с максималь­ ным понижением электронной концентрации в провале. Днем величина максимума электронной температуры значительно меньше. Средние значения амплитуд Те - около 250 К. В возмущенных условиях ночные амплитуды максимумов Те достигают 2000 К. В дневные часы в спокой­ ных и возмущенных условиях амплитуды Те отличаются мало. Анализировались также гистограммы ширины и амплитуды пиков (максимумов) Те, крутизна их на низкоширотном и высокоширотном краях. Было получено, что максимумы Те занимают 1-4° инвариантной широты. Относительная их амплитуда по сравнению с базисным широтным ходом Те составляет 200-1500 К. Диапазон крутизны склонов составляет от 150 до 4500 К на 1° широты с наиболее вероятной крутизной 350 К на 1° широты. Максимумы электронной температуры наблюдались в диапазоне инва­ риантных широт 57-63° с минимальными значениями около 06.00 ч и максимальными значениями около 16.00 ч геомагнитного времени. С уве­ личением геомагнитной возмущенности зона повышенной электронной температуры смещается к более низким широтам на 5—8°. 4.3. Динамика границы диффузных высыпаний электронов Из всего сказанного выше ясно, что диффузные высыпания низкоэнер­ гичных электронов играют важную роль как в формировании главного ионосферного провала, так и в характере тех динамических процессов, которые протекают в области главного ионосферного провала в спокой­ ных и возмущенных условиях. Поэтому важно знать положение областей диффузных высыпаний электронов и их динамику при разных физических условиях. Наиболее актуальным является вопрос о положении низкоши­ ротного края этих областей, от которого зависит во многом положение главного ионосферного провала. Образование и динамика низкоширотной границы диффузных высы­ паний электронов по данным наземных и спутниковых измерений исследо­ вались в работе [51]. При этом анализировались данные измерений, выпол­ ненных на спутниках ”Ореол-1” и ”Ореол-2” в 1971-1974 гг. Привлека­ лись к анализу и данные измерений, проведенных на плазмопаузе спутни­ ками ”Эксплорер45” и ОГО-6, а также экспериментальные данные, полу­ 79