Жеребцов Г.А. Физические процессы в полярной ионосфере. Москва, 1988.
Распределение электронной концентрации по широте в области провала исследовалось в работах [3—9]. Было установлено, что провал наблюдается и в полном содержании электронов в столбе ионосферы единичного сечения от ее основания до высоты спутника. Дальнейшие исследования показали, что провал есть и в концентрации ионов. Провал регистрировался как при низкой, так и при высокой солнечной активности [10,11]. Измерения, проведенные с помощью спутников, позволили установить, что разные ионы ведут себя по-разному в зависимости от широты и других условий [12—16]. Закономерности поведения ионов в области главного ионосферного провала исследовались экспериментально с помощью спутни ков ”Ореол-1” и ”Ореол-2” [17-19]. На основании данных масс-спектро метрических измерений, выполненных на этих спутниках, было установ лено, что на низкоширотном крае главного ионосферного провала ионы гелия во внешней ионосфере могут иметь больший градиент концентрации по широте, чем ионы водорода. Было также установлено по этим данным, что провал в концентрации легких ионов в возмущенных условиях раз вивается начиная с тех оболочек, которые располагаются более глубоко в плазмосфере. При этом концентрация нейтрального водорода уменьшает ся в возмущенных условиях в тех областях, где наблюдается провал в концентрации легких ионов. На основании измерений на спутниках ”Ореол-1” и ”Ореол-2” были сделаны выводы, что в возмущенных усло виях низкоширотная часть главного ионосферного провала в легких ионах может образовываться потому, что происходит диссоциация нейтрального водорода. Широко обсуждался в литературе вопрос о возможной связи между положением главного ионосферного провала и положением плазмопаузы. Логичным было предположить, что эти области пониженной концентрации электронов в ионосфере и в магнитосфере находятся на одних и тех же магнитных оболочках, т.е. соединены геомагнитными силовыми линиями. Но связь в положении этих областей оказалась более сложной. Так, в рабо те [20] было установлено, что главный ионосферный провал не располага ется под плазмопаузой, т.е. он не может быть индикатором ее положения, поскольку его образование связано не с уходом ионосферной плазмы вдоль силовых линий в плазмосферу, а с процессами в низкоширотноіГ части провала. Такое заключение было сделано на основании сравнения данных измерений, выполненных на спутнике ИСИС-2, с данными о распределении электронной концентрации в ионосфере. Данные спутника ИСИС-2 позво лили исследовать влияние плазмопаузы на внешнюю ионосферу. Динамика главного ионосферного провала в электронной концентрации и максимума широтного хода температуры электронов в зависимости от геомагнитной активности (по данным прямых измерений электронной тем пературы на спутнике ”Космос-378” и зондирования ионосферы с 11 ионо сферных станций Северного полушария) исследовалась в [21]. Само по себе положение главного ионосферного провала и широтный ход темпера туры электронов зависят от разных условий: геомагнитной возмущенности, времени суток, сезона, солнечной активности и т.д. Изменение положения провала свидетельствует о тех физических процессах, которые вызывают образование провала. Положение провала в электронной концентрации и температуре опреде 68
Made with FlippingBook
RkJQdWJsaXNoZXIy MTUzNzYz