Жеребцов Г.А. Физические процессы в полярной ионосфере. Москва, 1988.

Рис. 6.8. Высотные профили электронной температуры, рассчитанные с учетом различ­ ных механизмов охлаждения в уравнении (6.33) Учет только QB (О , ) и QB (N 3) — 2, только QK ( О ,) и G k (N 2 ) — •?’ только 2 э (® ) — 4, только Qr ( 0 ) — 5, а также учет сразу всех механизмов — 1 и без уче­ та всех механизмов — 6 Рис. 6.9. Высотные профили электронной тем­ пературы при наличии электрического ноля ^ т а х = мВ/м и ПРИ Учете различных механизмов охлаждения в уравнении (6.33) Условные обозначения см. на рис. 6.8 лучаемые на их основании выводы, по-видимому, должны быть справед­ ливы и для среднеширотной ионосферы. Исследовалась роль различных механизмов охлаждения тепловых электронов за счет неупругих столкно­ вений с нейтральными частицами и для возмущенных условий полярной ионосферы, вызываемых действием электрических полей ~ 100 мВ/м, при которых значения температур ионов и электронов значительно повышают­ ся. Оказалось, что неучет в уравнении теплопроводности электронов рас­ сматриваемых механизмов охлаждения приводит к большим погрешностям в значениях электронной температуры, что можно видеть на рис. 6.9. Поэто­ му при математическом моделировании процессов в высокоширотной ио­ носфере в условиях, когда действуют электрические поля, при расчете электронной температуры учет механизмов охлаждения тепловых электро­ нов за счет неупругих столкновений с нейтральными частицами еще в боль­ шей мере необходим. Полученные результаты показывают, что каждый из рассматриваемых т о JO0O J00O £,К 134