Юрова, И. Ю. Сечения рассеяния электронов атмосферными газами / Юрова И. Ю., Иванов В. Е. ; Акад. наук СССР, Кол. фил. им. С. М. Кирова, Поляр. геофиз. ин-т. – Ленинград : Наука, 1989.

Т а б л и ц а 3.2 Параметры дпя расчета сечения упругого рассеяния согласно (2.20) при к ш 1 ^ттгіп» эВ «0 а 2, а 3 а, ^ Е0 ,эВ С N 2 4.0 2.172 1.799 -0.6725 0.0954 -0. 00565 500 3186 0.2 2.465 0.825 -0.2325 0.0194 -0.00094 500 3232 01 0.1 2,800 0.390 -0.0780 -0.0102 0.00095 10000 2600 01 0.1 2.800 0.366 -0.0749 -0.0505 0.00036 2000 2600 [ 7 9 -8 2 ] . Дпя аппроксимации ( £ ) была выбрана формула (2 .2 0 ). Константа В бьша определена по данным работы [8 2 ], параметры СС^ представлены в табп. 3.2, энергетическая зависи мость S’g’L ( £ ) и суммы сечений неупругого рассеяния показаны на рис. 3.2. Дифференциальное сечение упругого рассеяния на основе перво го борновского приближения дпя рассеяния на эффективном потен циале быпо рассчитано в [ 5 9 ] , причем результат имел вид анали тического выражения, кроме того, это сечение было получено в [8 1 ] методом искаженных волн. Результаты [ 8 1 ] дпя дифференци ального сечения рассеяния (ДСР) представлены на рис. 3.3, Фор мы угловых зависимостей ДСР, полученные в [ 5 9 ] и [ 8 1 ] , сход ны и проявляют глубокий минимум при углах рассеяния Ѳ - 90 - 120° для энергий 5 ^ 200 эВ, однако по абсолютной величи не значения ДСР могут значитеиыю различаться, особенно в облас ти малых углов при £ > 20 эВ , например на порядок при 0 = 0 ° и £ = 100 эВ . Поскольку значения интегрального сечения (ИС) и отношение ДСР при Ѳ - 0 и Ѳ= 180°, полученные в [ 8 1 ] , удовлет ворительно согласуются с данными большинства предыдущих работ, результаты [ 8 1 ] приняты нами за основные. Параметры аппроксима ции ДСР по формулам (2 .2 3 ), (2.25) и (2.14) приведены в табп. 3.3. Суммарное сечение рассеяния электронов на атомарном кисло роде по данным работы [ 8 3 ] показано на рис. 3.4, численные значе ния & l ±. даны в табп. 3.4. Рис. 3.1. Схема электронных состояний атома кислорода [ 7 7 ] . Цифры - длины волн соответствующих переходов, в нм (1 нм = = 10 А).