Влияние мощного радиоизлучения на ионосферу / АН СССР, Кол. фил. им. С. М. Кирова, Поляр. геофиз. ин-т. – Апатиты : Кольский филиал АН СССР, 1979. – 164 с.
излучения. Вранеепроведенішхэкспериментах/8,9/ наэтойуста новкебылопоказано, чтоприЕ 0 > 500-800 В/смвплазмеразвива ласьпараметрическаянеустойчивость, сопровождающаясяпроявлением быстрыхэлектроновинелинейнымувеличениемэлектрическогополя вплазме, чтоприводилокрезкомуподъемукривойвобластиП. Плавноеувеличениепросветляемойконцентрацииплазмывобла стиI связаносостолкновйтелънымпоглощениемэлектромагнитной энергииипоследующимперераспределениемконцентрации. Универсаль ноеобъяснениестольмонотоннойзависимостивэтойобластиполей датьтрудно. Этосвязаностем, чтотемпература"холодной" плазмы изменяласьзавремядействияимпульсаволнынакачкис10 до2 эВ, чтоприводилокизменениюхарактеристикпоглощения. Однакоясно, чтоприведенныеэкспериментальныерезультатыпо просветлениюнепрозрачной, анизотропнойплазмымогутбытьобъясне нытепловымнагревомэлектроноввполеинтенсивнойволнынакачки. I 2 ■) £ Продольныйнагревэлектронов( % = ^ w ~ 2*10 с) приводитк образованиювытянутойвдольмагнитногополяобластиповышенного давления, релаксациякоторойпоперекмагнитногополявызывалапе рераспределениеконцентрации(Ne= -ffl.Teo), Времяустановленияста ционарнойтемпературы(<t ~ 2 *І 0~5 с) определялосьпроцессамипе реносапоперекмагнитногополя, атакжеизменениемэффективности поглощенияэлектромагнитнойэнергии, связаннойсуменьшениемпро водимостиплазмы(‘•Cg-Ng). Конкурирующиемеханизмыотводаэнергии тяжелымичастицамиидиффузионноеохлаждениеэлектроновболе медленные(тр= І 0 “ 4 с). ВремяперераспределенияконцентрациипЛазмыпоперекмагнитно гополяможноопределитьповременивыходаиз"отсечки" сигнала волнынакачки(см.рис.26) довакуумногоуровня. Диаграмманаправ ленности при этом совпадала с вакуумной, поперечные раз меры просветляемой области порядка размеров волновогопучка Ьц. Этовремя.непревышало3-10 сисоответствоваловременидиф фузииплазмыпоперекмагнитногополя(tN = п-І 0 ~^ с) вобласть 1 9Сг закритичности, т.е. вдольраспространенияволнынакачки. За время’t Ni плазмапрогреваетсяиперераспределяетсятакженавели чинуle . Такимобразом, полноевремяпросветлениянепрозрачнойплазмы докритическойконцентрацииопределяетсякакгспр=:Г^ 1 ^г- tn > (где % - толщинаслоясконцентрациейвышекритической). Напри мер, дляплазмыс = 2 и = 6 времяпросветленияотна чалаимпульсаволнынакачкисоставляет 8 * 10 “^ с. Дляанализапросветленнойобластиплазмыпроизводилисьизме рениядиаграммнаправленностизондирующихсигналов. Нарис.4 и5 представленыраспределенияплотностиэнергиивдольосихдляобык 61
Made with FlippingBook
RkJQdWJsaXNoZXIy MTUzNzYz