Влияние мощного радиоизлучения на ионосферу / АН СССР, Кол. фил. им. С. М. Кирова, Поляр. геофиз. ин-т. – Апатиты : Кольский филиал АН СССР, 1979. – 164 с.

эффектпоследействия, т.е. послевыключеішяМРещенаблвдаетсясиг­ налзначительнойамплитуды. Нарис.5 видно, чторелаксацияамплиту­ дыЗСпроходитволнообразно. По-видимому, явлениеувеличенияампли­ тудыЗСначастоте2.5 МГцможнообъяснитьфокусирующимэффектом областиионосферыподвоздействиемМР/II/. Действительно, какпо­ казановработе/12/, поддействиемМРвслоеѵ ионосферыэлект­ роннаяконцентрацияуменьшаетсяна10-20$. Обедненнаяэлектронами областьионосферыдостаточнолокализована- горизонтальныеразмеры определяютсядиаграммойнаправленностиантенныМР(внашемслучае- этообластьразмерами40x20 кмнавысоте100 км), повысотеэта область, в зависимостиотмощностиМР, занимаетот10 до30 км. ЭтанеоднородностьбудетДействоватькакфокусирующаялинза, по­ сколькуонаобладаетповышеннымкоэффициентомпреломленияотноси­ тельноокружающегопространства. Коэффициентусилениятакойлинзы, полученныйврезультатеэксперимента, составляетК~ 1.5-6. Веда- чинафлуктуацийэлектроннойконцентрации влинзе, рассчитан­ наяпометодике, изложеннойвработе/13/, составила0.05-0.1. По­ перечныйразмеробластиприемасигналаповышеннойинтенсивностина землеоказалсядостаточномал- около 6 км. Видимо, поэтомуприем радиосигналовсповышеннымуровнемамплитудынаблюдаетсясравни­ тельноредко. Вовремяэкспериментаслучайнымобразомреализова­ лисьусловия, когдаискусственнаялинзасфокусировалаЗСнаповерх­ ностьЗемливрайонеприемногопункта, гденаблюдаласьповышенная интенсивностьпринимаемогосигнала. Наличиеколебанийспериодом 45-48 с, по-видимому, объясняетсятем, чтовнеоднороднойплазме — - ф 0 вполеМРвозбуждаютсянезатухающиеколебания, сопровож­ дающиесяпоследовательнойгенерациейиисчезновениемдвижущихся неоднородностей(линз) /14/. Частотаколебанияопределяется вре­ менем движениялинзыотточкиа 0 (каустическаяповерхностьдля сигналаМР) доточки zk (точкараспаданеоднородности): Вообщедлявозникновенияподобныхрелаксационныхколебанийнеобхо' димо, чтобывозмущениебылодостаточносильным, т.е. гдеВ- потокпоглощаемой|энергиинаодинэлектрон; тв- температура, эь; 40