Тонкая структура авроральных форм : оперативно-информационный материал / АН СССР, Кол. науч. центр, Поляр. геофиз. ин-т. – Апатиты : [б. и.], 1989. – 35 с.

метром ~ 2 км, закрученные против часовой стрелки, если смотреть про­ тив магнитного поля, а в токовом слое - спирали с диаметром ~ 50-1500 км, закрученные по часовой стрелке. Неустойчивости в слое зарядов возникают вследствие сдвигового течения в скрещенных электрическом и магнитном полях. Это происходит следующим образом. Если имеется однородный слой, состоящий из заря­ женных частиц, например электронов, находящихся в магнитном поле, то под действием внешнего магнитного поля и электрического поля слоя электроны будут двигаться как показано на рис. 15 а. Когда заряжен- 1ь ч Е Е —2а*- Рис. 16. Схематическая ил­ люстрация развития неустойчивос­ ти в слое зарядов, а - смещение зарядов в плоском слое, 6 - сину­ соидальном слое, в — образование вихря в плоском слое зарядов. ный слой прямолинеен, потоки заряженных частиц будут дви­ гаться в разные стороны с оди­ наковыми скоростями и никакого изменения концентрации зарядов не будет. При искривлении слоя заряды будут двигаться, как по­ казано на рис. 16 б, что при­ ведет к изменению концентрации частиц в некоторых областях слоя и вызовет еще большее ис­ кривление слоя, т .е . имеет мес­ то обратный эффект. В протяжен­ ных полосах изменение концент­ рации частиц на одном участке полосы приводит к тому, что на протяжении всей полосы образу­ ется целая цепь вихрей (рис. 16 в ). Неустойчивость, развиваю­ щаяся в токовом слое, тоже при­ водит к образованию деформации этого слоя. Она происходит из- за того, что ток, текущий, на­ пример, антипараллельно внеш­ нему магнитному полю BQ, созда­ ет дополнительное магнитное по­ ле В , которое, складываясь с внешним полем BQ , как бы ис­ кривляет его, и появляется до­ полнительная компонента ско­ рости V (рис. 17 а ) . Тогда 18